Hoogwaardige G60n100 IGBT 1000V 60A 180W To264 Fgl60n100bntd G60n100bntd

• Vorm: ST
• koelmethode: Natuurlijk Gekoelde Tube
• Functie: High Back Pressure Transistor, Transceiver
• werken Frequency: overklokken
• Structuur: Legering
• inkapseling Structuur: chip Transistor
• Model NR.: G60N100BNTD
• Kracht niveau: medium Vermogen
• Materiaal: Germanium Transistors
• merknaam: origineel
• installatiestijl: smd/smt
• Transportpakket: Tube
• Specificatie: iron and plastic
• Oorsprong: Chn

Beschrijving

Productbeschrijving

 

 

1.originele in de fabriek verzegelde verpakking met standaardtypes: Buis, tray, tape en reel,
doos, verpakking van zakken. Laat het ons weten als u speciale wensen heeft.

Alle artikelen zijn verpakt met blisterzak en schuim in aangepaste verzenddozen voor
sterke bescherming.