75 A 1200 V 6 in één pakket
1 Beschrijving
Deze geïsoleerde Bipolaire transistor van de poort gebruikte geavanceerde geul en
Fieldstop technologie ontwerp, voorzag in uitstekende VCEsat en switching
snelheid, lage aanspuitopening. Die overeenkomt met de RoHS-standaard.
| Functies |
FS Trench-technologie, positieve temperatuur
coëfficiënt |
Lage saturatiespanning: VCE(Sat), typ = 2,0 V.
@ IC = 75A en TJ = 25°C. |
| Extreem verbeterde lawine-mogelijkheden |
| Toepassingen |
| Lassen |
| UPS |
| Drievoudige inverter |
| AC naar DC-omvormers |
| Versterker van AC- en DC-servoaandrijving |
| Type |
VCE |
IC |
VCEsat,TJ=25 ºC |
Tjop |
Pakket |
| DGC75C120M2T |
1200 V. |
75 A (TJ=100 ºC) |
2,0 V (normaal) |
175 ºC |
Econopack2 |
Elektrische karakteristieken
5.1 absolute maximumwaarden (IGBT-inverter/IGBT-rem) (TC=25 ºC, tenzij anders aangegeven)
| PARAMETER |
SYMBOOL |
WAARDE |
EENHEID |
| |
|
|
| Spanning tussen collector en emitter |
VCE |
1200 |
V |
| Poort-naar-emitter-spanning |
VGE |
±30 |
V |
| DC-collectorstroom |
IC TJ = 25 ºC |
150 |
A |
| TJ=100 ºC |
75 |
A |
| Pulsed collector stroom #1 |
ICM |
300 |
A |
5.2 absolute maximumwaarden (diode) (TC=25 ºC, tenzij anders aangegeven)
| PARAMETER |
SYMBOOL |
WAARDE |
EENHEID |
| |
|
|
| Piekspanning bij repetitieve spanning bij achteruitrijden |
VRRM |
1200 |
V |
| DC-blokkeerspanning |
VR |
1200 |
V |
| Gemiddelde gelijkgerichte stroom vooruit |
ALS (AV) |
75 |
A |
| Repetitieve piekstroom |
IFRM |
150 |
A |
| Niet-repetitieve piekstroom (enkel) /tp=1,0 ms |
IFSM |
600 |
A |
5.3 IGBT-module
| PARAMETER |
SYMBOOL |
WAARDE |
EENHEID |
| |
|
|
| Temperatuurbereik van de verbinding |
Tjmax |
-45-175 |
C |
| Temperatuur van de verbinding tijdens bedrijf |
Tjop |
-45-150 |
C |
| Opslagtemperatuur |
Tstg |
-45-150 |
C |
| Isolatiespanning RMS,f=50 Hz,t=1 min. |
VISO |
4000 |
A |
Gecontroleerde Leverancier 
