2 Inch Sic siliciumcarbide wafer dummy klasse

• Maatwerk: Beschikbaar
• Certificering: rohs
• Kleur: Groen
• Model NR.: 2-Inch
• diameter: 6 inch
• hickness: 350±25 μm
• poly-type: 4h
• ttv: ≤20 μm
• verdraaiing: ≤70 μm
• (afm)ruwheid voorzijde (si-face): ra≤0,2 nm
• Transportpakket: multi-waferorsingle wafer cassette verpakking
• Specificatie: 2 inch
• Handelsmerk: hc
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 2804611900
• Productiecapaciteit: 50000

Beschrijving

    SIC Silicon Carbide geleidende, semi-isolerende substraatwafers (aanpasbaar) ★2" 4"6" 8" geleidend silicium carbide substraat Wafers Silicon Carbide (SiC) is een nieuw type compound halfgeleider materiaal met superieure prestaties. Halfgeleiders van siliciumcarbide hebben uitstekende eigenschappen, zoals een grote bandbreedte (ongeveer 3 keer zo breed als silicium), een hoge kritieke veldsterkte (ongeveer 10 keer zo hoog als die van silicium) en een hoge thermische geleidbaarheid (ongeveer 3 keer zo hoog als die van silicium). Het zijn ideale halfgeleidermaterialen voor het maken van elektronische apparaten met hoge temperaturen, hoge frequenties en een hoog vermogen (vermogensspaanders). Tegelijkertijd is het ook een uitstekend halfgeleidermateriaal dat de tweede is van diamant. Momenteel leveren we standaard 2, 4, 6 en 8-inch siliciumcarbide substraatwafers. Gebruikt voor de productie van Schottky diodes (SBD), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors), JFET (junction field effect transistors) en BJT (bipolaire junction transistors). Deze elektronische apparaten kunnen op grote schaal worden gebruikt in groene energie- en energiebesparende systemen, waaronder zonne-omvormers, het opwekken van windenergie en het opslaan van energie, hybride energie, elektrische voertuigen, laadstapels, slimme netten, en huishoudelijke apparaten.

  

                                                 6 inch N-type SiC-substraatwafer

 

Nee	Items	Eenheid	Ultra-P-kwaliteit	Productiekwaliteit	Onderzoeksniveau	Dummy-klasse
1.Boule-parameters
1.1	Poly-type	--	4 UUR
1.2	Fout in de richting van het oppervlak	°	4° naar <11-20>±0.15°	4° naar <11-20>±0.5°	4° naar <11-20>±0.5°	4° naar <11-20>±0.5°
2.Elektrische parameters
2.1	doopant	cm-³	n-type stikstof
2.2	weerstand	ohm·cm	0.016 ~ 0,024 ohm·cm	0.015 ~ 0,025 ohm·cm.	0.015 ~ 0,025 ohm·cm.	NA
3.Mechanische parameters
3.1	diameter	mm	150 ±0.25 mm
3.2	Dikte	μm	350±25 μm
3.3	Primaire vlakke oriëntatie	°	[1-100]±5°
3.4	Primaire platte lengte	mm	47.5±1,5 mm	47.5±2,5 mm	47.5±2,5 mm	47.5±2,5 mm
3.5	LTV	μm	≤2 μm (10 mm x 10 mm)	≤5 μm (10 mm x 10 mm)	≤10 μm (10 mm x 10 mm)	≤15 μm (10 mm x 10 mm)
3.6	TTV	μm	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm	≤20 μm
3.7	Boog	μm	-15 μm~15 μm	-25 μm~25  μm	-45 μm~45   μm	-65  μm~65  μm
3.8	Verdraaien	μm	≤20 μm	≤35 μm	≤50 μm	≤70 μm
3.9	(AFM)Front(Si-face)ruwheid	nm	RA≤0,2 nm	RA≤0,2 nm	RA≤0,2 nm	RA≤0,2 nm
4.structuur
4.1	dichtheid van de micropijp	ea/cm²	≤0.15 ea/cm²	≤0.5 ea/cm²	≤1 ea/cm²	≤2 ea/cm²
4.2	metaalgehalte	atomen/cm²	≤5E10 atomen/cm²	≤1E11 atomen/cm²	≤1E11 atomen/cm²	NA
4.3	TSD	ea/cm²	≤100ea/cm²	≤300ea/cm²	≤500ea/cm²	NA
4.4	BPD	ea/cm²	≤600ea/cm²	≤1000ea/cm²	≤1500 ea/cm²	NA
5.kwaliteit voorzijde
5.1	voor	--	SI	SI	SI	SI
5.2	oppervlakteafwerking	--	SI-Face CMP	SI-Face CMP	SI-Face CMP	SI-Face CMP
5.3	deeltje	ea/wafer	≤60(grootte≥0.3 μm)	≤100(grootte≥0.3 μm)	NA	NA
5.4	krassen	ea/mm	≤2,totale lengte≤1/2*diameter	≤5,totale lengte≤diameter	NA	NA
5.5	spaanders/inspringen/scheuren/sti	--	Geen	Geen	Geen	NA
5.6	Polytype gebieden	--	Geen	≤0.5% cumulatief gebied)	≤2%cumulatief gebied)	≤5% cumulatief gebied)
5.7	markering voor	--	Geen	Geen	Geen	Geen
6.Back-kwaliteit
6.1	afwerking aan de achterkant	--	C-face gepolijst
6.2	krassen	ea/mm	≤5,totale lengte≤diameter	NA	NA	NA
6.3	Achterkant vertoont defecten aan de rand	--	Geen	Geen	Geen	NA
6.4	Achterruwheid	nm	RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm)	RA ≤5 nm	RA ≤5 nm	RA ≤5 nm
Rand
7.1	Wafer Edge	--	Afschuining	Afschuining	Afschuining	Afschuining
8.verpakking
8.1	Verpakking	--	EPI-gereed met vacuümverpakking
8.2	Verpakking	--	Multi-waferorverpakking met enkele wafer-cassette
SEMI-STDNotes:„na” betekent geen verzoek.items die niet zijn opgenomen, kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

VEELGESTELDE VRAGEN

V1: Wat is de manier van verschepen ?
A: We accepteren DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF en dergelijke
V2: Hoe te betalen?
A: T/T, PayPal en dergelijke.
V3: Wat is de tijd die nodig is om te leveren?
A: Voor voorraad: De levertijd is 10 werkdagen.   Voor producten op maat: De levertijd is 10 tot 25 werkdagen. Afhankelijk van de hoeveelheid.
V4: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoeften?
 A: Ja, we kunnen de specificaties aanpassen aan uw behoeften.
V5: Hoe kan ik de kwaliteit van uw producten garanderen?
 A: Strikte detectie tijdens de productie.strikte monstername-inspectie van producten vóór verzending en intact productverpakking verzekerd.