4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer

Productdetails
Maatwerk: Beschikbaar
Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
Certificering: CCC, RoHS
Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf
Gouden Lid Sinds 2024

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Maatschappelijk Kapitaal
1000000 RMB
Plantengebied
101~500 Vierkante Meter
  • 4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer
  • 4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer
  • 4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer
  • 4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer
  • 4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer
  • 4 inch Dummy Graad Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer
Vind vergelijkbare producten

Basis Informatie.

Productietechnologie
pvt
Materiaal
6n sicpoeder
Model
n-type
Pakket
epi-gereed met vacuümverpakking
Type
N-Type Halfgeleider
polytype
4h
oppervlakteriëntatie op de as
<0001>
ttv
≤5 μm
ltv
≤3 μm (10 mm x 10 mm)
metaalverontreinigingen
≤5e12atomen/cm2
Transportpakket
multi-waferorsingle wafer cassette verpakking
Specificatie
4 inch
Handelsmerk
hc
Oorsprong
China
Gs-Code
2849200000
Productiecapaciteit
50000

Beschrijving

    Semi-isolerende siliciumcarbide substraten zijn enkelvoudige kristallen die worden gevormd door snijden, slijpen, polijsten, reinigen en andere processen van semi-isolerende siliciumcarbide kristallen. Als belangrijke grondstof voor de halfgeleiders van de derde generatie kunnen enkelvoudige kristallen substraatplakken worden gemaakt tot op siliciumcarbide gebaseerde radiofrequentieapparaten door middel van heteroepitaxiale groei en de productie van apparatuur. Het zijn belangrijke basismaterialen voor de ontwikkeling van de halfgeleiderindustrie van de derde generatie. Om te voldoen aan de vraag van klanten naar 4,6-inch producten, voorziet het bedrijf binnenlandse en buitenlandse klanten van 4,6-inch semi-isolerende substraatproducten met hoge kosten in batches.

Downstream producten en toepassingen
   Het halfgeïsoleerde siliciumcarbide enkelvoudige kristalsubstraat van hoge zuiverheid wordt voornamelijk gebruikt in 5G-communicatie, radarsysteem, zoeker, satellietcommunicatie, vliegtuigen en andere gebieden, met de voordelen van het verbeteren van het radiofrequentiebereik, de herkenning van ultralange afstanden, de anti-interferentie, de hogesnelheidsinformatietransmissie met grote capaciteit en andere toepassingen; en wordt beschouwd als het meest ideale substraat voor de productie van microgolfapparaten.
4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer
4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer
                                                                                                                                                                                      6 4 inch semi-isolerend SiC-substraat met hoge zuiverheid
Nee Items Eenheid Productiekwaliteit Dummy-klasse
Crystal-parameters
1.1 Polytype -- 4 UUR 4 UUR
1.2 Oppervlakteriëntatie op de as -- <0001> <0001>
1.3 Oppervlakteriëntatie buiten de as ° 0±0.2° 0±0.2°
1.4 (0004)(FWHM) arcsec 45 arcsec 100 arcsec
2.  Elektrische parameters
2.1  Type -- HPSI HPSI
2.2  Weerstand ohm·cm 1E10 ohm·cm 70% oppervlak>1E5ohm·cm
3.Mechanische parameters
3.1 Diameter mm 99.5 tot 100 mm 99.5 tot 100 mm
3.2  Dikte μm 500±25 μm 500±25 μm
3.3  Inkeping ° [1-100]±5° [1-100]±5°
3.4  Inkepingsdiepte mm 1 ~ 1,25 mm 1 ~ 1,25 mm
3.5  LTV μm ≤2 μm (5 x 5 mm) NA
3.6  TTV μm 5 μm 15 μm
3.7  Boog μm -15 μm~15 μm -45μm~45μm
3.8  Verdraaien μm ≤20 μm 50 μm
3.9 (AFM) ruwheid voorzijde (Si-face) nm RA0,2 nm (5 μm*5 μm) RA0,2 nm (5 μm*5 μm)
4.structuur
4.1  Dichtheid van de micropijp ea/cm2 1 ea/cm2 10ea/cm2
4.2  Dichtheid van koolstofinsluitingen ea/cm2 1 ea/cm2 NA
4.3 Zeshoekige holte -- Geen NA
4.4 Metaalverontreinigingen atomen/cm2 5E12 NA
5. Kwaliteit
5.1  Voor -- SI SI
5.2  Oppervlakte-afwerking -- CMP Si-Face CMP CMP Si-Face CMP
5.3  Deeltjes ea/wafer 60(grootte0,3 μm) NA
5.4  Krassen ea/mm ≤2 , totale lengtediameter NA
5.5  Oranje
schillen/putten/vlekken/strepen/barsten/vervuiling
-- Geen NA
5.6 Kantschilfers/inspringen/breuk -- Geen Geen
5.7 Polytype gebieden -- Geen 30% (cumulatief gebied)
5.8  Lasermarkering voor -- Geen Geen
6.  Kwaliteit van de rug
6.1  Afwerking aan de achterkant -- C-Face CMP  C-Face CMP
6.2  Krassen ea/mm ,totale lengte2*diameter NA
6.3  Defecten aan de achterkant (rand
fiches/inspringingen)
-- Geen Geen
6.4  Achterruwheid nm RA0,2 nm (5 μm*5 μm) RA0,2 nm (5 μm*5 μm)
6.5  Lasermarkering op de achterzijde -- SEMI, INKEPING SEMI, INKEPING
6.6  Rand --  Afschuining  Afschuining
Opmerkingen: 'NA' betekent geen verzoek. Items die niet zijn opgenomen, kunnen verwijzen naar SEMI-STD.
VEELGESTELDE VRAGEN
V1: Wat is de manier van verschepen ?
A: We accepteren DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF en dergelijke
V2: Hoe te betalen?
A: T/T, PayPal en dergelijke.
V3: Wat is de tijd die nodig is om te leveren?
A: Voor voorraad: De levertijd is 10 werkdagen.   Voor producten op maat: De levertijd is 10 tot 25 werkdagen. Afhankelijk van de hoeveelheid.
V4: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoeften?
A: A: Ja, we kunnen de specificaties aanpassen aan uw behoeften.
4inch Dummy Grade Semi-Insulating Silicon Carbide Wafer

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing
Contacteer leverancier