Maatwerk: | Beschikbaar |
---|---|
Applicatie: | Diode, Vermogenselektronische componenten, halfgeleider |
Certificering: | CCC, CE, RoHS |
Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties
6Inch semi-isolerend SiC-substraat met hoge zuiverheid | ||||
Nee | Items | Eenheid | Productie | Dummy |
Crystal-parameters | ||||
1.1 | Polytype | -- | 4 UUR | 4 UUR |
1.2 | Oppervlakteriëntatie op de as | -- | <0001> | <0001> |
1.3 | Oppervlakteriëntatie buiten de as | ° | 0±0.25° | 0±0.25° |
1.4 | (0004)(FWHM) | arcsec | ≤45 arcsec | ≤100 arcsec |
2. Elektrische parameters | ||||
2.1 | Type | -- | HPSI | HPSI |
2.2 | Weerstand | ohm·cm | ≥1E8ohm·cm | 70% oppervlak>1E5ohm·cm |
3.Mechanische parameters | ||||
3.1 | Diameter | mm | 150±0,2 mm | 150±0,2 mm |
3.2 | Dikte | μm | 500±25 μm | 500±25 μm |
3.3 | Inkeping | ° | [1-100]±5° | [1-100]±5° |
3.4 | Inkepingsdiepte | mm | 1 ~ 1,25 mm | 1 ~ 1,25 mm |
3.5 | LTV | μm | ≤3 μm (10 mm x 10 mm) | ≤10 μm (10 mm x 10 mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤5 μm | ≤15 μm |
3.7 | Boog | μm | -25 μm~25 μm | -45μm~45μm |
3.8 | Verdraaien | μm | ≤35 μm | ≤55 μm |
3.9 | (AFM) ruwheid voorzijde (Si-face) | nm | RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
4.structuur | ||||
4.1 | Dichtheid van de micropijp | ea/cm2 | ≤1 ea/cm2 | ≤10ea/cm2 |
4.2 | Dichtheid van koolstofinsluitingen | ea/cm2 | ≤1 ea/cm2 | NA |
4.3 | Zeshoekige holte | -- | Geen | NA |
4.4 | Metaalverontreinigingen | atomen/cm2 | ≤5E12 | NA |
5. Kwaliteit | ||||
5.1 | Voor | -- | SI | SI |
5.2 | Oppervlakte-afwerking | -- | CMP Si-Face CMP | CMP Si-Face CMP |
5.3 | Deeltjes | ea/wafer | ≤60(grootte≥0,3 μm) | NA |
5.4 | Krassen | ea/mm | ≤5 , totale lengte≤diameter | NA |
5.5 | Oranje schillen/putten/vlekken/strepen/barsten/vervuiling |
-- | Geen | NA |
5.6 | Kantschilfers/inspringen/breuk | -- | Geen | Geen |
5.7 | Polytype gebieden | -- | Geen | ≤30% (cumulatief gebied) |
5.8 | Lasermarkering voor | -- | Geen | Geen |
6. Kwaliteit van de rug | ||||
6.1 | Afwerking aan de achterkant | -- | CMP C-FACE CMP | CMP C-FACE CMP |
6.2 | Krassen | ea/mm | ≤5 ,totale lengte≤2*diameter | NA |
6.3 | Defecten aan de achterkant (rand fiches/inspringingen) |
-- | Geen | Geen |
6.4 | Achterruwheid | nm | RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
6.5 | Lasermarkering op de achterzijde | -- | SEMI, INKEPING | SEMI, INKEPING |
6.6 | Rand | -- | Afschuining | Afschuining |
Opmerkingen: 'NA' betekent geen verzoek. Items die niet zijn opgenomen, kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |