Startpagina Product Directory

Productlijst

(Totaal 31 Producten)
weergave:

Lijstweergave

Galerijweergave
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
FOB-prijs: US$175,00-200,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 6inch
  • Hickness: 350±25μm
  • Poly Type: 4h
  • Ttv: ≤20 μm
  • Warp: ≤70μm
Verstuur aanvraag
Hoogwaardige Sic-ingots en staven in verschillende maten en kwaliteiten
Hoogwaardige Sic-ingots en staven in verschillende maten en kwaliteiten
FOB-prijs: US$160,00-175,00 / mm
Minimale Bestelling: 15 mm
  • Certificering: RoHS
  • Poly Type: 4h
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Dopant: N-Type Nitrogen
  • Resistivity: 0.015~0.028 Ohm.Cm
  • Specificatie: 4 "6" 8"
Verstuur aanvraag
4-8 Inch Siliciumcarbide Staven, Siliciumcarbide Semi-Isolerende Ingotten
4-8 Inch Siliciumcarbide Staven, Siliciumcarbide Semi-Isolerende Ingotten
FOB-prijs: US$170,00-185,00 / mm
Minimale Bestelling: 10 mm
  • Certificering: RoHS
  • Materiaal: Vermogen halfgeleider
  • Model: Single Crystal Substrate Material
  • Type: N-Type Halfgeleider
  • Poly Type: 4h
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
Verstuur aanvraag
4"6inch siliciumcarbide staaf Sic semi-geïsoleerde Sic ingot
4"6inch siliciumcarbide staaf Sic semi-geïsoleerde Sic ingot
FOB-prijs: US$175,00-200,00 / mm
Minimale Bestelling: 10 mm
  • Certificering: RoHS
  • Poly Type: 4h
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Thickness: ≥10mm
  • Specificatie: 4 "6" 8"
  • Handelsmerk: HC
Verstuur aanvraag
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
FOB-prijs: US$175,00-200,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 6inch
  • Hickness: 350±25μm
  • Poly Type: 4h
  • Ttv: ≤20 μm
  • Warp: ≤70μm
Verstuur aanvraag
Privé Methode Lange Kristaloven Weerstandsoven
Privé Methode Lange Kristaloven Weerstandsoven
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Verstuur aanvraag
Sic diamantzaaglijn multi-draadzaag diamantdraadtoepassingen
Sic diamantzaaglijn multi-draadzaag diamantdraadtoepassingen
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Verstuur aanvraag
Sic Wafer Hoge Precisie Dubbelzijdige Slijpen Polijsten Machine
Sic Wafer Hoge Precisie Dubbelzijdige Slijpen Polijsten Machine
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Verstuur aanvraag
Siliciumcarbide kristalgroeioven
Siliciumcarbide kristalgroeioven
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Verstuur aanvraag
6-Inch P-Grade Sic Wafer Sic Substraat MOS&Sbd
6-Inch P-Grade Sic Wafer Sic Substraat MOS&Sbd
FOB-prijs: US$349,00-390,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: 4h
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Verstuur aanvraag
6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
FOB-prijs: US$600,00-660,00 / piece
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Resistivity: 0.016~0.024ohm ·cm
  • Dopant: N-Type Nitrogen
  • Ttv: ≤5μm
  • Warp: ≤20μm
Verstuur aanvraag
4-Inch P-Grade Semi-Isolerende SiC Substraat SiC Schijf
4-Inch P-Grade Semi-Isolerende SiC Substraat SiC Schijf
FOB-prijs: US$589,00-685,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: CCC, RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: N-Type
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Verstuur aanvraag
China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
FOB-prijs: US$249,00-345,00 / piece
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Specificatie: Purity>99.9999%
  • Handelsmerk: HC
  • Oorsprong: China
Verstuur aanvraag
4inch Dummy Grade Semi Isolerende Siliciumcarbide Wafer
4inch Dummy Grade Semi Isolerende Siliciumcarbide Wafer
FOB-prijs: US$589,00-685,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: CCC, RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: N-Type
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Verstuur aanvraag
Siliciumcarbide Mosfet heeft lage doorlaatweerstand, lage verliezen en hoge frequentie
Siliciumcarbide Mosfet heeft lage doorlaatweerstand, lage verliezen en hoge frequentie
Minimale Bestelling: 100 Stukken
  • Installatie: Plug-in Triode
  • werken Frequency: Hoge frequentie
  • Kracht niveau: Hoge spanning
  • Functie: lichtgevoelig, Darlington Buis, Vermogen Triode, Schakelen Triode
  • Structuur: PNP
  • Characteristic: High Blocking Voltage, High Frequency Operation, L
Verstuur aanvraag
4-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt) LED China
4-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt) LED China
FOB-prijs: US$10,00-30,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Size: Ф 100 ± 0.3 mm
  • Thickness: 650 ± 50μm
  • Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
  • Ttv: ≤ 30μm
Verstuur aanvraag
2-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt)
2-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt)
FOB-prijs: US$10,00-30,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Size: Ф 50.8 ± 1 mm
  • Thickness: 350 ± 25 μm
  • Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
  • Ttv: ≤ 15 μm
  • Specificatie: GaN-FS-C-U-C50
  • Oorsprong: China
Verstuur aanvraag
Geavanceerde 6h P-Type 3c N-Type siliciumcarbide wafer voor halfgeleidertoepassingen
Geavanceerde 6h P-Type 3c N-Type siliciumcarbide wafer voor halfgeleidertoepassingen
FOB-prijs: US$2.180,00-2.300,00 / ...
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Batchnummer: 2023+
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 3c-Sic Powder
  • Diameter: 6inch
Verstuur aanvraag
Halfgeleider 6 Inch Hoge Zuiverheid Semi-Isolerende Sic Substraat Sic Schijf
Halfgeleider 6 Inch Hoge Zuiverheid Semi-Isolerende Sic Substraat Sic Schijf
FOB-prijs: US$1.130,00-1.250,00 / ...
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Certificering: RoHS
  • Type: Hpsi
  • Surface Orientation on-Axis: <0001>
  • Ttv: ≤5μm
  • Ltv: ≤3μm(10mm*10mm)
  • Metal Impurities: ≤5e12atoms/Cm2
Verstuur aanvraag
8inch Ultra-P Graad 4h N Type Halfgeleider Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat
8inch Ultra-P Graad 4h N Type Halfgeleider Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat
FOB-prijs: US$2.400,00-2.500,00 / ...
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: 4h N-Type
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Verstuur aanvraag
Aanpasbare 4h N-Type Siliciumcarbide Snijwafels China
Aanpasbare 4h N-Type Siliciumcarbide Snijwafels China
FOB-prijs: US$110,00-135,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Specificatie: Purity>99.9999%
  • Oorsprong: China
Verstuur aanvraag
6 Inch Dummy Graad Hoge Zuiverheid Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer Prijs
6 Inch Dummy Graad Hoge Zuiverheid Semi-Isolerende Siliciumcarbide Wafer Prijs
FOB-prijs: US$538,00-618,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten, Semiconductor
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n
  • Model: 6inch Dummy Grade
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Verstuur aanvraag
6 Inch P Graad Siliciumcarbide Schijf Sic Schijf MOS Sbd
6 Inch P Graad Siliciumcarbide Schijf Sic Schijf MOS Sbd
FOB-prijs: US$349,00-390,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: 4h
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Verstuur aanvraag
6inch Ultra-P Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Sic Wafer
6inch Ultra-P Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Sic Wafer
FOB-prijs: US$600,00-660,00 / piece
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Resistivity: 0.016~0.024ohm ·cm
  • Dopant: N-Type Nitrogen
  • Ttv: ≤5μm
  • Warp: ≤20μm
Verstuur aanvraag
1 2 Volgend
Verstuur aanvraag

Hangzhou HCJingRui Technology Co., Ltd.

Zhejiang, China

Laatste inLogdatum: Nov 03, 2025

Soort bedrijf: Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf

Hoofd Producten: Sic/Saffier/GaN/Si Substraat & Epitaxie, 6n Sic Poeder, Siliciumcarbide Ingot Saffier Ingot, Sic Snijdisk, Testen, Aangepaste Verwerking, Schijven, Chips, Siliciumcarbide Vermogensapparaten etc

Kom Meer te Weten

Gerelateerde categorieën

Over Ons Verklaring Gebruikersovereenkomst Privacybeleid Neem contact op met Made-in-China.com Topproducten Inzichten
Taal Opties: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026Focus Technology Co., Ltd. Alle rechten voorbehouden
Focus is niet verantwoordelijk voor het inhoudelijke verschil van de website tussen de Engelse versie en andere taalversies. In geval van discrepantie tussen verschillende talenversies, zal de Engelse versie voorrang hebben . Door gebruik te maken van deze Website aanvaardt en erkent U zonder enig voorbehoud onze gebruiksvoorwaarden.