DB3/DB4/DB6 DO-35 OMTREKKEN SILICIUM BIDIRECTIONELE DIAC-DIODE VOOR BALLAST

• Maatwerk: Beschikbaar
• inkapseling Structuur: plastic afgedicht
• Toepassing: Elektronica
• Model NR.: DB3
• Structuur: Planair
• Materiaal: Silicium
• Transportpakket: munitie
• Specificatie: door gat
• Handelsmerk: jf
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 85411000
• Productiecapaciteit: 1000000000000stuk/jaar

Beschrijving

Productbeschrijving

SILICONEN BIDIRECTIONELE DIAC
Elektronische component

Onderdeelnummer: DB3/DB4/DB6

Hoofdparameter:   

Type	VBO			│+VBO│-│-VBO│	│±△V│	VO	IB	Overzicht
	Min. V	Type V	Max. V	V	V	V	ΜA
DB3	28	32	36	±3	5	5	10	DO-35
DC34	30	34	38	±3	5	5	10
DB4	35	40	45	±3	5	5	10
DB6	56	60	70	±4	10	5	10

Merk: JF-logo/ JH-logo

Pakket: DO-35  
Fabrikant: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Eigenschappen:

·De hermetisch gesloten drielaags tweepolige axiaal-afleidingen-diacs zijn speciaal ontworpen voor het triggeren van thyristoren. Ze demonstreren een lage doorbreekkracht bij een doorbreekkingsspanning, omdat ze bestand zijn tegen piekstroom. De breeksymmetrie ligt binnen drie volt (DB3,DC34,DB4) of vier volt (DB6). Deze diacs zijn bedoeld voor gebruik in thyrisitors fasecontrole , circuits voor het dimmen van de lamp, universele motortoerentalregeling en warmtecontrole.

·De DB3/DC34/DB4/DB6 van JF zijn in twee richtingen geactiveerde diode die ontworpen is om in te werken  Samenwerking met Triacs en SCR's

Toepassing:  
Gebruikt in het lichtveld

Bedrijfsprofiel