• MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
  • MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
  • MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
  • MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
  • MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW
  • MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW

MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW

Geleidend type: Bipolaire Geïntegreerde Schakeling
Integratie: MSI
Technieken: Halfgeleider IC
fig.: onsemi
d/c: 22+
pakket: sot-23

Contacteer leverancier

Diamant Lid Sinds 2018

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Handelsbedrijf

Basis Informatie.

Model NR.
MMBT3904LT1G
kwaliteit
origineel nieuw origineel
vorm
hqfp64
Transportpakket
Doos
Oorsprong
China
Gs-Code
8542390000
Productiecapaciteit
1000000PCS

Beschrijving

Beschrijving

MMBT3904LT1G:   Bipolaire (BJT) transistor NPN 40 V 200 mA 300 MHz 300 mW opbouwmontage SOT-23-3 (TO-236)

MFR. Onderdeelnummer: MMBT3904LT1G

MFR.: ONSEMI

Specificatieblad:  MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW(E-mail of chat ons voor PDF-bestand)

ROHS-status:  MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW

Kwaliteit: 100% origineel

Garantie: ÉÉN JAAR
 

Productstatus
Actief
 
Type transistor
NPN
 
Stroom - collector (IC) (max.)
200 mA
 
Spanning - storing collector-emitter (max.)
40 V.
 
VCE-verzadiging (max.) bij Ib, IC
300 mV bij 5 mA, 50 mA
 
Stroom - uitschakeling collector (max.)
-
 
DC-stroomversterking (hFE) (min.) bij IC, VCE
100 bij 10 mA, 1 V.
 
Vermogen - Max
300 mW
 
Frequentie - overgang
300 MHz
 
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Type montage
Opbouwmontage
 
Pakket/doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Apparaatpakket leverancier
SOT-23-3 (TO-236)
 
Basisproduct nummer
MMBT3904



Functies • deze apparaten zijn PB−-vrij, halogeenvrij/BFR-vrij en voldoen aan RoHS • S-prefix voor auto-industrie en andere toepassingen waarvoor unieke vereisten voor wijzigingen in de site en controle vereist zijn; AEC−Q101-gekwalificeerd en PPAP-compatibel












MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW


MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW


MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW

MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW

MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW

MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW
MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW

MMBT3904LT1G Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW



 

Waarom voor ons kiezen

  • Gelegen in Shenzhen, het elektronische marktcentrum van China.
  • 100% garantie kwaliteit componenten: Origineel origineel.
  • Voldoende voorraad op uw dringende vraag.
  • Geavanceerde collega's helpen u problemen op te lossen om uw risico te verkleinen met on-demand productie
  • Snellere verzending: Op voorraad kunnen componenten dezelfde dag worden verzonden.
  • 24-uurs service  

 

Opmerking:

  1. Productafbeeldingen dienen alleen ter referentie.
  2. U kunt contact opnemen met de verkoper om een betere prijs aan te vragen.
  3.  Voor meer producten aarzel niet om contact op te nemen met ons verkoopteam.  

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing

Zoek vergelijkbare producten op categorie

Startpagina leverancier Producten ONSEMI MMBT3904LT1G TRANSISTOR GP BJT NPN 40V 0,2A 300 MW

Misschien Vind Je Het Leuk

Contacteer leverancier

Diamant Lid Sinds 2018

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Handelsbedrijf
Maatschappelijk Kapitaal
100000 RMB
Plantengebied
<100 Vierkante Meter