NCE01P18K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET thyristors Transistors

• Geleidend type: Bipolaire Geïntegreerde Schakeling
• Integratie: MSI
• Bedrijfstemperatuur: -40℃ - 85℃
• Vorm: Plat
• Technieken: Halfgeleider IC
• fig.: nvh
• Model NR.: NCE01P18K
• d/c: 22+
• pakket: to-252
• kwaliteit: origineel nieuw origineel
• productstatus: actief
• Transportpakket: Doos
• Specificatie: electronic components
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8542399000
• Productiecapaciteit: 1000000PCS

Beschrijving

beschrijving

NCE01P18K  :   NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

MFR. Onderdeelnummer: NCE01P18K

Specificatieblad:  (E-mail of chat ons voor PDF-bestand)

ROHS-status:  

Kwaliteit: 100% origineel

Garantie: ÉÉN JAAR
 

  

 

 

Spanning van de stroombron (Vdss)	100 V.
Continue aftapstroom (ID)	18 A.
Weerstand bron afvoer aan (RDS(aan)@VGS,ID)	100 ohm bij 10 V, 16 A.
Vermogensdissipatie (PD)	70 W.
Drempelspanning poort (VGS(th)@ID)	3 V bij 250 UA
Type	1PCSPChannel

De NCE01P18K maakt gebruik van geavanceerde technologie en ontwerp voor een uitstekende RDS(ON) met lage poortlading. Het kan worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen. Het is geprotesteerd tegen ESD.


Toepassing
Energiebeheer in notebookcomputer
Draagbare apparatuur en systemen met batterijvoeding


 

 

 

 

Certificaten







Details van de verpakking van het product.

Waarom voor ons kiezen

• Gelegen in Shenzhen, het elektronische marktcentrum van China.
• 100% garantie kwaliteit componenten: Origineel origineel.
• Voldoende voorraad op uw dringende vraag.
• Geavanceerde collega's helpen u problemen op te lossen om uw risico te verkleinen met on-demand productie
• Snellere verzending: Op voorraad kunnen componenten dezelfde dag worden verzonden.
• 24-uurs service  

 

Opmerking:

1. Productafbeeldingen dienen alleen ter referentie.
2. U kunt contact opnemen met de verkoper om een betere prijs aan te vragen.
3.  Voor meer informatie over producten aarzel niet om contact op te nemen met ons verkoopteam.