8inch Ultra-P Graad 4h N Type Halfgeleider Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat

Contact Opnemen

Krijg Recentste Prijs

Over dit artikel

Prijs

Aankoop Aantal. Referentie FOB Prijs

3-9 piece US$ 2.500,00

10-49 piece US$ 2.450,00

50+ piece US$ 2.400,00

Scheidingen

Applicatie Diode, Vermogenselektronische componenten
Certificering RoHS
Productietechnologie pvt
Materiaal 6n sicpoeder
Model 4h n-type
Pakket epi-gereed met vacuümverpakking
Type N-Type Halfgeleider
diameter 8 inch
dikte 500±25 μm
poly-type 4h
weerstand 0.015 ~ 0,025 ohm·cm.
ttv ≤7 μm
verdraaiing ≤30 μm
(afm) ruwheid voorzijde (si-face) ra≤0,2 nm
Transportpakket multi-waferorsingle wafer cassette verpakking
Specificatie 8 inch 4h n-type
Handelsmerk hc
Oorsprong china

Beschrijving

Het 8-inch N-type siliciumcarbide substraat wordt voornamelijk gebruikt in nieuwe energievoertuigen, hoogspanningsstations en substations, witte apparaten, hogesnelheidstreinen, motoren, fotovoltaïsche omvormers, pulserende voedingen en andere velden. Het heeft de voordelen van het verminderen ...

Kom Meer te Weten

Hangzhou HCJingRui Technology Co., Ltd.

Adres No. 666, Tianmushan West Road, Yuhang District, Hangzhou, Zhejiang, China
Soort bedrijf Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf
Zakelijk Bereik Chemische Stoffen, Elektrotechniek & Elektronica′s, Industriële Apparaturen & Onderdelen
Certificering Van Managementsysteem ISO 9001
Hoofd Producten Sic/Saffier/GaN/Si Substraat & Epitaxie, 6n Sic Poeder, Siliciumcarbide Ingot Saffier Ingot, Sic Snijdisk, Testen, Aangepaste Verwerking, Schijven, Chips, Siliciumcarbide Vermogensapparaten etc

Siliciumcarbide wafer Vergelijking

	8inch Ultra-P Graad 4h N Type Halfgeleider Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat Contact Opnemen	Snelle Kijk 75A 650V Geïsoleerde Poort Bipolaire Transistor IGBT Dgc75f65m to-247 Contact Opnemen	Snelle Kijk Triac BTA16-600b tot-220mf Contact Opnemen	Snelle Kijk Fz900r12kp4 1200 V 900 a Enkel Schakel IGBT Module Contact Opnemen	Snelle Kijk Gepolijste siliciumcarbide wafer 4/6 Inch Z Klasse P Klasse D Klasse Si-Type Sic wafer Contact Opnemen

Transactie-info
	8inch Ultra-P Graad 4h N Type Halfgeleider Siliciumcarbide Wafer Sic Substraat Contact Opnemen	Snelle Kijk 75A 650V Geïsoleerde Poort Bipolaire Transistor IGBT Dgc75f65m to-247 Contact Opnemen	Snelle Kijk Triac BTA16-600b tot-220mf Contact Opnemen	Snelle Kijk Fz900r12kp4 1200 V 900 a Enkel Schakel IGBT Module Contact Opnemen	Snelle Kijk Gepolijste siliciumcarbide wafer 4/6 Inch Z Klasse P Klasse D Klasse Si-Type Sic wafer Contact Opnemen
Prijs	US$ 2.400,00 - 2.500,00 / piece	US$ 0,01 - 1,50 / Stuk	US$ 0,01 - 1,50 / Stuk	US$ 50,00 - 100,00 / Stuk	US$ 100,00 - 205,00 / Stuk
Minimale Bestelling	3 piece	5.000 Stukken	5.000 Stukken	10 Stukken	20 Stukken
Betalingscondities	-	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Betaling van een klein bedrag	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Betaling van een klein bedrag	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Betaling van een klein bedrag	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Betaling van een klein bedrag
Kwaliteitscontrole
Product certificatie	RoHS	-	-	-	-
Certificering Van Managementsysteem	-	IATF16949	IATF16949	-	-
Handelscapaciteit
Exportmarkten	-	South Asia	South Asia	Noord Amerika, Sud America, Europa, Sud-est Asiatico/ Medio Oriente, Africa, Asia Orientale (Giappone/Corea del Sud), Australia, Domestico, South Asia	South Asia
Jaarlijkse Exportinkomsten	-	-	-	-	-
Bedrijfsmodel	-	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	ODM, OEM	ODM, OEM
Gemiddelde Doorlooptijd	-	Doorlooptijd Hoogseizoen: Een Maand Doorlooptijd Buiten Het Seizoen: Een Maand	Doorlooptijd Hoogseizoen: Een Maand Doorlooptijd Buiten Het Seizoen: Een Maand	Doorlooptijd Hoogseizoen: Binnen 15 Werkdagen Doorlooptijd Buiten Het Seizoen: Binnen 15 Werkdagen	Doorlooptijd Hoogseizoen: Een Maand Doorlooptijd Buiten Het Seizoen: Een Maand
Productkenmerken
Specificatie	Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten; Productietechnologie: pvt; Materiaal: 6n sicpoeder; Model: 4h n-type; Pakket: epi-gereed met vacuümverpakking; Type: N-Type Halfgeleider; diameter: 8 inch; dikte: 500±25 μm; poly-type: 4h; weerstand: 0.015 ~ 0,025 ohm·cm.; ttv: ≤7 μm; verdraaiing: ≤30 μm; (afm) ruwheid voorzijde (si-face): ra≤0,2 nm;	Applicatie: inverter-lasmachine, ups; Batchnummer: 2023; Productietechnologie: Discreet apparaat; Materiaal: silicium; Model: dgc75f65m; Pakket: to-247; Type: N-Type Halfgeleider; spanning: 650V; huidig: 75A; merk: wxdh;	Applicatie: oplader; Batchnummer: 2023; Productietechnologie: Discreet apparaat; Materiaal: silicium; Model: bta16-600b; Pakket: tot-220mf; Type: N-Type Halfgeleider; merk: wxdh;	Applicatie: motorregeling en aandrijving van de omvormer en inver; Productietechnologie: Geïntegreerde Schakelingen Apparaat; Model: fz900r12kp4; Pakket: 62 mm; Signaalverwerking: Digitaal; productnaam: igbt-module; voorwaarde: 100% origineel; spanning: 1200V; ic: 900A; behuizing: 62 mm; kwalificatie: industrieel; merk: hongjun;	Applicatie: halfgeleider; Batchnummer: nee; Productietechnologie: chemische dampafzetting; Materiaal: sic; Model: 4 uur-n; Pakket: aangepast; Signaalverwerking: nee; Type: N-Type Halfgeleider; kwaliteit: p & d-klasse; spec: 4 inch 6 inch etc; grondstoffen: 6 n sik; typen: n of si; merk: nee;
Leveranciersnaam	Hangzhou HCJingRui Technology Co., Ltd.	Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd	Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd	Sichuan Focus Science and Technology Co., Ltd.	Hebei Baotong New Material Technology Co., Ltd.

Populaire Zoekopdracht