3-fase To247 Power Vienna PFC-topologie Osg60r028htf hoogspannings vermogen MOSFET

• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• type: fast ev-laadstation
• certificering: iso, tuv, rohs
• Model NR.: OSG60R028HTF
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Air
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20kkkk/Monthly

Beschrijving

Algemene beschrijving
De GreenMOS^® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS^® Generic-serie is geoptimaliseerd voor extreme schakelprestaties om schakelverlies te minimaliseren. Het is speciaal ontworpen voor toepassingen met een hoge vermogensdichtheid om te voldoen aan de hoogste efficiëntienormen.

Functies                                                                                                   

• LAAG RDS (AAN) EN FOM
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit

Toepassingen

• Pc-voeding
• LED-verlichting
• Telecom-vermogen
• Serverkracht
• EV-lader
• Zonne-energie/UPS

 

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min. bij TJ (max.)	650	V
ID, puls	240	A
RDS (AAN) , MAX. BIJ VGS = 10 V.	28	Memo
VGG	181.8	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG60R028HTF	TO247	OSG60R028HT

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	600	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		50
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	240	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	80	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	240	A
Vermogensdissipatie3^), TC=25 °C.	PD	455	W
Enkelpulserende lawine energy5^)	EAS	1850	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

 

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.27	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4^)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
		650				VGS=0 V, ID=1 mA, TJ=150 °C.
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		0.024	0.028	IN DE	VGS=10 V, ID=40 A
			0.06			VGS=10 V, ID=40A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	ΜA	VDS=600 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		2.2		IN DE	ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		7373		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		504		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		17		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		42.5		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		71		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		126.6		ns
Herfsttijd	tf		3.7		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		181.8		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		36.5		NC
Afvoer van de poort	Vraag		49.5		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		5.5		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		584		ns	VR=400 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		12.8		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		39.8		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in 2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=79.9 MH, starten TJ=25 °C.

Bestelinformatie
 

Pakkettype	Eenheden/buis	Buizen/binnendoos	Eenheden/binnendoos	Binnendozen/doos	Eenheden/doos
TO247-C	30	11	330	6	1980
TO247-J	30	20	600	5	3000

Productinformatie
 

Product	Pakket	PB-vrij	RoHS	Halogeenvrij
OSG60R028HTF	TO247	ja	ja	ja

Wettelijke afwijzing van aansprakelijkheid
De in dit document verstrekte informatie mag in geen geval worden beschouwd als een garantie voor voorwaarden of kenmerken. Met betrekking tot voorbeelden of hints die hierin worden gegeven, typische waarden die hierin worden vermeld en/of informatie over de toepassing van het apparaat, wijst Oriental Semiconductor hierbij alle garanties en aansprakelijkheden van welke aard dan ook af, inclusief maar niet beperkt tot garanties van niet-inbreuk op intellectuele eigendomsrechten van derden.