AUX Flyback Converter One Switch Topologieën Mosfet

• Number of Charging Interfaces: No
• Location: No
• Installation: No
• Charge Method: No
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• Model NR.: OSG90R1K2AF TO251
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• type: fast ev-laadstation
• certificering: ISO, TUV, RoHS
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Air
• Specificatie: OSG90R1K2AF
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20kkkk/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

OSG90R1K2xF maakt gebruik van geavanceerde GreenMOSTM-technologie om lage RDS(ON), lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine-eigenschappen te bieden. Dit apparaat is geschikt voor actieve vermogensfactorcorrectie en schakelende toepassingen van de stroomvoorziening.


Functies                                         Toepassingen

1. Lage RDS (aan) en FOM                                             -verlichting
2. Extreem laag schakelverlies                               Hard schakelend PWM
3. Uitstekende stabiliteit en uniformiteit               Voeding van de server
4. Makkelijk te rijden                              Oplader

Belangrijkste prestatieparameters
 

1. 1. Absolute maximumwaarden bij TJ=25ºC tenzij anders vermeld

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain de bronspanning	VDS	900	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 ºC	ID	5	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 ºC		3.2
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC = 25 ºC	ID, puls	15	A
Vermogensdissipatie3) voor TO251, TO262, TC=25 ºC	PD	83	W
Vermogensdissipatie3^) voor TO220F, TC = 25 ºC		31
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	211	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg,TJ	-55 tot 150	C

 

 

1. &bsp; thermische kenmerken

 

Parameter	Symbool	Waarde		Eenheid
		TO251/TO262	TO220F
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	1.5	4.0	C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	62.5	C/W

1. Elektrische karakteristieken bij TJ=25 ºC tenzij anders aangegeven

 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		960	1070			VGS=0 V, ID=250 ΜA, TJ=150 ºC
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Drain-source on-state weerstand	RDS (AAN)		1.0	1.2	IN DE	VGS=10 V, ID=2 A.
			2.88			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 ºC
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			10	ΜA	VDS=900 V, VGS=0 V.

1. Dynamische karakteristieken

 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		874.2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, f = 100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		37.5		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		1.7		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		33.23		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 OHM, ID=5 A.
Stijgtijd	tr		26.50		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		44.00		ns
Herfsttijd	tf		17.63		ns

 

 

1. Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		12.50		NC	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V.
Opladen van gate-bron	QGS		3.75		NC
Afvoer van de poort	Vraag		4.28		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		5.8		V

1. Kenmerken van de Body Diode

 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Stroom diode vooruit	IS			5	A	VGS<Vth
Gepulseerde bronstroom	ISP			15
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=5 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		265.87		ns	VR=400 V, IS=5 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		2.88		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		19.51		A

1. Opmerking

 

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in 2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een stille lucht omgeving met Ta=25 ºC.
5. VDD=100 V, RG=47 ohm, L=10 MH, beginnend TJ=25 ºC.

Informatie over markeren
 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	650	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		50
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	240	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	80	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	240	A
Vermogensdissipatie3 ^) , TC = 25  °C.	PD	500	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	2900	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	100	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.25	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		0.032	0.038	IN DE	VGS=10 V, ID=40 A
			0.083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		2.1		IN DE	ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		486		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		12.8		PF
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie	CO(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgerelateerd	CO(tr)		1477		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		55.9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		121.2		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		114.2		ns
Herfsttijd	tf		8.75		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		40.1		NC
Afvoer van de poort	Vraag		76.1		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		6.4		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		180		ns	IS=30 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		1.5		UC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		15.2		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in 2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 MH, starten TJ=25 °C.