Bescherming van batterijen Mosfet uitstekende stabiliteit en uniformiteit

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: Metal Porcelain Tube
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: SFG150N10PF
• Structuur: Planar
• inkapseling Structuur: Plastic Sealed Transistor
• Kracht niveau: medium Vermogen
• Materiaal: Silicium
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• type: fast ev-laadstation
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: TO247
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene  beschrijving
SFGMOS®   MOSFET is gebaseerd op het unieke apparaatontwerp van Oriental Semiconductor om  een laag  RDS(ON)  ,  lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine -eigenschappen te bereiken.  De  High Vth -serie  is speciaal   geoptimaliseerd voor hoge systemen met een spanning van meer dan   10 V.

Functies
.  LAAG  RDS (AAN)  EN  FOM
.  Extreem  laag schakelverlies  
.  Uitstekende stabiliteit en  uniformiteit
.  Snel schakelen en  zacht  herstel

Toepassingen
.  Geschakelde  voeding  
.  Motoraandrijving  
.  Batterijbescherming  
.  DC-DC -omvormer
.  Zonneomvormer  
.  UPS  en  energie -omvormer

Belangrijkste prestatieparameters  

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS,  min.  bij TJ (max.)	100	V
ID,  puls	450	A
RDS (AAN),  MAX.  BIJ VGS = 10 V.	3.5	Memo
VGG	87.8	NC

Informatie over markeren  

 

Productnaam	Pakket	Markering
SFG150N10PF	TO220	SFG150N10P

Informatie over pakket en  PIN  

 

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ=25°C  tenzij  anders  vermeld

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain de bronspanning	VDS	100	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±20	V
Continue  aftapcurrent1 )  , TC=25  °C.	ID	150	A
Gepulseerde  afvoerstroom2 )  , TC=25  °C.	ID,  puls	450	A
Continue  diode  vooruit -current1)  , TC=25  °C.	IS	150	A
Diode  pulserende  stroom 2)  , TC=25  °C.	IS,  puls	450	A
Vermogensdissipatie3 )  , TC=25  °C.	PD	250	W
Enkelpulserende lawine  energy5)	EAS	265	MJ
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot  150	°C

Thermische kenmerken

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand,  aansluitkast	RθJC	0.5	°C/W
Thermische weerstand,  junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ=25°C  tenzij  anders  aangegeven
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Bron van de aftap afbraakspanning	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		3.22	3.50	Memo	VGS=10 V,  ID=30 A
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS = 20 V.
				-  100		VGS = -20 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	ΜA	VDS=100 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		4.9		IN DE	ƒ=1  MHz, Open  afvoer

Dynamische karakteristieken
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		6850		PF	VGS = 0 V, VDS=25 V, ƒ=100  kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		3170		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		251		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		32		ns	VGS = 10 V, VDS=50 V, RG=2  OHM, ID=65 A
Stijgtijd	tr		138		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		88		ns
Herfsttijd	tf		106		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		87.8		NC	VGS = 10 V, VDS=50 V, ID=65 A
Opladen van gate-bron	QGS		27.1		NC
Afvoer van de poort	Vraag		22.9		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		5.5		V

Kenmerken van de Body Diode
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=30 A, VGS = 0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		158		ns	VR=50 V, IS=65 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		437		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		5		A

Opmerking
1)   berekende continue stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane verbindingstemperatuur.  2)   Repetitieve  waarde;  pulsbreedte  beperkt  door  max. knooppunttemperatuur.
3)   PD  is  gebaseerd op  de max. knooppunttemperatuur,  waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4)    de  waarde  van  RθJA   wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op  een 1  in  2  FR-4 -bord  met een inhoud van 2oz.  Koper, in  een  omgeving met stillucht    met  Ta=25  °C.
5)    VDD=50 V,VGS=10 V,  L=0.3  MH, starten  TJ=25  °C.