Transistorverbetering Pdfn5*6 Sfg10r08GF VdS-100V ID-300A RDS (AAN) -7milliohm QG-60,7nc Voor DC-DC-omvormer geschakelde N-Channel Power N-Channel Power Mosfet

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Model NR.: PDFN5*6 SFG10R08GF
• Structure: Diffusion
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Transportpakket: Carton
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Algemene beschrijving

SFGMOS^® MOSFET is gebaseerd op het unieke apparaatontwerp van Oriental Semiconductor om een laag RDS_(ON), lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine-eigenschappen te bereiken. De low Vth -serie is speciaal ontworpen voor gebruik in synchrone gelijkrichten met lage aandrijfspanning.
 

Functies

• LAAG RDS _(AAN) EN  FOM
• Extreem laag  schakelverlies  
• Uitstekende betrouwbaarheid en  uniformiteit
• Snel schakelen en zacht  herstel

 

Toepassingen

• PD -lader
• Motoraandrijving  
• Schakelende spanningsregelaar
• DC-DC -omvormer
• Geschakelde voeding  

 

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min. bij TJ (max.)	100	V
ID, puls	300	A
RDS(AAN) MAX BIJ VGS=10V	7	Memo
VGG	60.7	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
SFG10R08GF	PDFN5*6	SFG10R08G

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain de bronspanning	VDS	100	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±20	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	100	A
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	300	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	100	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	300	A
Vermogensdissipatie3^), TC=25 °C.	PD	148	W
Enkelpulserende lawine energy5^)	EAS	130	MJ
Werking en opslagtemperatuur	Tstg,TJ	-55 tot 150	°C

 

Thermische kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.84	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4^)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	100			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	1.0		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		5.8	7.0	Memo	VGS=10 V, ID=12 A
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		8.5	10.0	Memo	VGS=4.5 V, ID=9 A
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 20 V.
				-100		VGS = -20 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	ΜA	VDS=100 V, VGS=0 V.

 

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		3530		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Uitgangscapaciteit	COSS		560		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		9.0		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		22.5		ns	VGS=10 V, VDS=50 V, RG=2 OHM, ID=10 A
Stijgtijd	tr		8.6		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		66.6		ns
Herfsttijd	tf		42.1		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		60.7		NC	VGS=10 V, VDS=50 V, ID=10 A
Opladen van gate-bron	QGS		7.2		NC
Afvoer van de poort	Vraag		14.6		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		2.9		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=30 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		67		ns	VR=50 V, IS=10 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		160		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		3.9		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur .
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur .
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4. De  waarde  van  RθJA  wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op  een 1  in  2  FR-4 -bord  met  een inhoud van 2oz.  Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25  °C.
5. VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, starten TJ=25 °C.

 

Bestelinformatie

 

Pakkettype	Eenheden/haspel	Rollen / binnenvak	Eenheden/binnendoos	Binnendozen/doos	Eenheden/doos
PDFN5*6-C.	5000	2	10000	5	50000

Productinformatie
 

Product	Pakket	PB-vrij	RoHS	Halogeenvrij
SFG10R08GF	PDFN5*6	ja	ja	ja

 

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten