LED-verlichting EV-lader Osg60r028htf To247 VdS 650V RDS28mohm Mosfet

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Silicon Wafers
• Type: P-type Semiconductor
• Package: To247
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: led-verlichting
• Model NR.: OSG60R028HTF TO247
• Model: Osg60r028htf
• Batch Number: 2024+
• Brand: Orientalsemi
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• Transportpakket: Air
• Specificatie: TO247
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

De GreenMOS^® hoogspannings-MOSFET  maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS^® Generic-serie is geoptimaliseerd voor extreme schakelprestaties om schakelverlies te minimaliseren. Het is speciaal ontworpen voor toepassingen met een hoge vermogensdichtheid om te voldoen aan de hoogste efficiëntienormen.


Functies

• LAAG  RDS (AAN)  EN  FOM
• Extreem  laag  schakelverlies  
• Uitstekende  stabiliteit  en  uniformiteit

Toepassingen

• Pc -voeding
• LED -verlichting
• Telecom -vermogen
• Serverkracht  
• EV -lader
• Zonne-energie/UPS

 

Belangrijkste  prestatieparameters  
 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS,  min.  bij  TJ (max.)	650	V
ID,  puls	240	A
RDS (AAN)  ,  MAX.  BIJ VGS = 10 V.	28	Memo
VGG	181.8	NC

Informatie over markeren  

 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG60R028HTF	TO247	OSG60R028HT

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ=25°C  tenzij  anders  vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	600	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue  aftapcurrent1 ^),  TC=25  °C.	ID	80	A
Continue  aftapcurrent1 ^),  TC=100  °C.		50
Gepulseerde  afvoerstroom2 ^),  TC=25  °C.	ID,  puls	240	A
Continue  diode  vooruit -current1^),  TC=25  °C.	IS	80	A
Diode  pulserende  stroom 2^),  TC=25  °C.	IS,  puls	240	A
Vermogensdissipatie3 ^),  TC=25  °C.	PD	455	W
Enkelpulserende   lawine energy5^)	EAS	1850	MJ
MOSFET  dv/dt  robuustheid,  VDS=0…480  V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde  diode  dv/dt,  VDS=0…480  V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking  en  opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55  tot  150	°C

Thermische  kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische  weerstand,  aansluitkast	RθJC	0.27	°C/W
Thermische  weerstand,  junction-ambient4^)	RθJA	62	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ=25°C  tenzij  anders  aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	600			V	VGS=0  V,  ID=1  MA
		650				VGS=0  V,  ID=1  mA, TJ=150 °C.
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS,  ID=2  MA
Weerstand van de afvoerbron  in de toestand	RDS (AAN)		0.024	0.028	IN DE	VGS=10  V,  ID=40  A
			0.06			VGS=10  V,  ID=40A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30  V.
				-100		VGS = -30  V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	ΜA	VDS=600  V,  VGS=0  V.
Aanspuitweerstand	RG		2.2		IN DE	ƒ=1  MHz,  Open  afvoer

Dynamische  karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		7373		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100  kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		504		PF
Capaciteit voor omgekeerde  overdracht	CRS		17		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		42.5		ns	VGS=10 V, VDS=400  V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		71		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		126.6		ns
Herfsttijd	tf		3.7		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening   

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		181.8		NC	VGS=10 V, VDS=400  V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		36.5		NC
Afvoer van de poort	Vraag		49.5		NC
Voltage van gate -plateau	Vplateau		5.5		V

Kenmerken van de Body  Diode  

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode  vooruit	VSD			1.3	V	IS=80  A, VGS=0  V.
Hersteltijd omkeren	trr		584		ns	VR=400  V, IS=40 A, Di/dt=100  A/μs
Teruglooplading	Vraag		12.8		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		39.8		A

Opmerking

1. Berekende  continue  stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane  knooppunttemperatuur .
2. Herhaaldelijke  waarde;  pulsbreedte   beperkt  door  max.  knooppunttemperatuur .
3. PD  is  gebaseerd  op  de max.  knooppunttemperatuur ,  waarbij gebruik   wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4. De  waarde  van  RθJA  wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op  een 1  in  2  FR-4 -bord  met  een inhoud van 2oz.  Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=100  V,  VGS=10  V,  L=79.9  MH,  starten  TJ=25  °C.