beschrijving: | extreem laag schakelverlies |
---|---|
kenmerken: | uitstekende stabiliteit en uniformiteit |
toepassingen: | pc-voeding |
industrieën: | led-verlichting |
type: | fast ev-laadstation |
certificering: | iso, tuv, rohs |
Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Productnaam | Pakket | Markering |
OSG65R038HZF | TO247 | OSG65R038HZ |
Parameter | Symbool | Waarde | Eenheid |
Spanning van de drain-bron | VDS | 650 | V |
Spanning van gate-bron | VGS | ±30 | V |
Continue aftapcurrent1), TC=25 °C. | ID |
80 | A |
Continue aftapcurrent1), TC=100 °C. | 50 | ||
Gepulseerde afvoerstroom2), TC=25 °C. | ID, puls | 240 | A |
Continue diode vooruit-current1), TC=25 °C. | IS | 80 | A |
Diode pulserende stroom 2), TC=25 °C. | IS, puls | 240 | A |
Vermogensdissipatie3 ) , TC = 25 °C. | PD | 500 | W |
Enkelpulserende lawine energy5) | EAS | 2900 | MJ |
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V. | dv/dt | 100 | V/ns |
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
Werking en opslagtemperatuur | Tstg, TJ | -55 tot 150 | °C |
Parameter | Symbool | Waarde | Eenheid |
Thermische weerstand, aansluitkast | RθJC | 0.25 | °C/W |
Thermische weerstand, junction-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Spanning bij stroomstoring van de drain |
BVDSS |
650 | V |
VGS=0 V, ID=2 MA | ||
700 | 770 | VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C. | ||||
Drempelwaarde poort spanning |
VGS(Th) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=2 MA | |
Bron van de aftap weerstand in de status |
RDS (AAN) |
0.032 | 0.038 | IN DE |
VGS=10 V, ID=40 A | |
0.083 | VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C. | |||||
Lekstroom van gate-bron | IGSS |
100 | Na |
VGS = 30 V. | ||
-100 | VGS = -30 V. | |||||
Lekstroom van de drain-bron | IDSS | 10 | ΜA | VDS=650 V, VGS=0 V. | ||
Aanspuitweerstand | RG | 2.1 | IN DE | ƒ=1 MHz, Open afvoer |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Ingangscapaciteit | CISS | 9276 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz |
||
Uitgangscapaciteit | COSS | 486 | PF | |||
Capaciteit voor omgekeerde overdracht | CRS | 12.8 | PF | |||
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie | CO(er) | 278 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V. |
||
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgerelateerd | CO(tr) | 1477 | PF | |||
Vertragingstijd bij inschakelen | td (aan) | 55.9 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=40 A |
||
Stijgtijd | tr | 121.2 | ns | |||
Uitschakelvertraging | td (uit) | 114.2 | ns | |||
Herfsttijd | tf | 8.75 | ns |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Totale poortkosten | VGG | 175.0 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A |
||
Opladen van gate-bron | QGS | 40.1 | NC | |||
Afvoer van de poort | Vraag | 76.1 | NC | |||
Voltage van gate-plateau | Vplateau | 6.4 | V |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Spanning diode vooruit | VSD | 1.3 | V | IS=80 A, VGS=0 V. | ||
Hersteltijd omkeren | trr | 180 | ns | IS=30 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Teruglooplading | Vraag | 1.5 | UC | |||
Piekstroom voor herstel achteruit | Irrm | 15.2 | A |
Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties