Effect van warmtedissipatie materialen Ost40n120hmf 10µ S IGBT

• certificaat: RoHS, ISO
• inkapseling Structuur: Plastic Sealed Transistor
• Installatie: Plug-in Triode
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Functie: Vermogen Triode, Schakelen Triode
• Model NR.: OST40N120HMF -4
• Structuur: NPN
• Materiaal: Silicium
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

De OST40N120HMF maakt gebruik van de geavanceerde, gepatenteerde Trident-Gate Bipolaire transistor (TGBTTM)-technologie van Oriental-Semi voor extreem lage VCE(Sat), lage gate-lading en uitstekende schakelprestaties. Dit apparaat is geschikt voor frequentieomvormers met een gemiddeld tot hoog bereik.

Functies

• Geavanceerde TGBTTM-technologie
• Uitstekende geleiding en schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• Snelle en zachte antiparallelle diode

Toepassingen

• Inductieomvormers
• Ononderbroken voedingen

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VCES, min. bij 25 °C.	1200	V
Maximale knooppunttemperatuur	175	°C
IC, puls	160	A
VCE(Sat), typ bij VGE=15V	1.45	V
VGG	214	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Absolute maximumwaarden bij Tvj=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de collector-emitter	VCES	1200	V
Spanning van gate-zender	VGES	±20	V
Transiënte poort-emitter-spanning, TP≤0.5µs, D<0.001		±25	V
Continue collectorcurrent1^), TC=25ºC	IC	56	A
Continue collectorcurrent1^), TC=100ºC		40	A
Gepulseerde collector current2^), TC = 25 ºC	IC, puls	160	A
Diode vooruit-current1^), TC=25 ºC	ALS	56	A
Diode vooruit-current1^), TC=100 ºC		40	A
Diode pulserende stroom 2^), TC = 25 ºC	ALS, puls	160	A
Vermogensdissipatie3^), TC = 25 ºC	PD	357	W
Vermogensdissipatie3^), TC = 100 ºC		179	W
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, Tvj	-55 tot 175	°C
Houdtijd kortsluiting VGE=15 V, VCC≤600 V. Toegestaan aantal kortsluitingen<1000 tijd tussen kortsluitingen:≥1.0 S. Tvj=150 °C.	TSC	10	μs

Thermische kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
IGBT-thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.42	°C/W
Thermische weerstand diode, aansluitkast	RθJC	0.75	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	40	°C/W

 

Elektrische karakteristieken bij Tvj=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Afbraakspanning collector-emitter	V(BR)CES	1200			V	VGE=0 V, IC=0.5 MA
Verzadigingsspanning collector-emitter	VCE (Sat)		1.45	1.8	V	VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25°C.
			1.65		V	VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125°C.
			1.8			VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175°C.
Poort-emitter drempelspanning	VGE(de)	4.8	5.8	6.8	V	VCE=VGE, ID=0.5 MA
Spanning diode vooruit	VF		1.9	2.1	V	VGE=0 V, IF=40 A TVJ =25°C.
			1.6			VGE=0 V, IF=40 A, TVJ=125°C.
			1.5			VGE=0 V, IF=40 A, TVJ=175°C.
Poort-emitter lekstroom	IGES			100	Na	VCE=0 V, VGE=20 V.
Nulstroom van de spanningscollector van de aanspuitopening	ICES			10	ΜA	VCE=1200V, VGE=0 V.

 

Dynamische karakteristieken
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	Cies		11270		PF	VGE=0 V, VCE=25 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COES		242		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	Cres		10		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		120		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 OHM, IC=40 A.
Stijgtijd	tr		88		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		246		ns
Herfsttijd	tf		160		ns
Energie inschakelen	EON		3.14		MJ
Schakel de energie uit	Eoff		1.02		MJ
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		112		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 OHM, IC=20 A.
Stijgtijd	tr		51		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		284		ns
Herfsttijd	tf		148		ns
Energie inschakelen	EON		1.32		MJ
Schakel de energie uit	Eoff		0.53		MJ

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		214		NC	VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A.
Kosten gate-emitter	VGE		103		NC
Laaddruk gate-collector	Vraag		40		NC

Kenmerken van de Body Diode
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Hersteltijd diode achteruit	trr		293		ns	VR=600 V, ALS=40 A, DIF/dt=500 A/μs Tvj = 25°C.
Diode terugwinningslading	Vraag		2.7		ΜC
Diode piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		25		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.

 

Versie 1: TO247-P-pakket met een schetsafmeting

Bestelinformatie
 

Pakkettype	Eenheden/buis	Buizen/binnendoos	Eenheden/binnendoos	Binnendozen/doos	Eenheden/doos
TO247-P	30	11	330	6	1980

Productinformatie
 

Product	Pakket	PB-vrij	RoHS	Halogeenvrij
OST40N120HMF	TO247	ja	ja	ja

Wettelijke afwijzing van aansprakelijkheid
De in dit document verstrekte informatie mag in geen geval worden beschouwd als een garantie voor voorwaarden of kenmerken. Met betrekking tot voorbeelden of hints die hierin worden gegeven, typische waarden die hierin worden vermeld en/of informatie over de toepassing van het apparaat, wijst Oriental Semiconductor hierbij alle garanties en aansprakelijkheden van welke aard dan ook af, inclusief maar niet beperkt tot garanties van niet-inbreuk op intellectuele eigendomsrechten van derden.

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten