Elektrische auto (EV) 3-fase To247 Power Vienna PFC-topologie Osg65r035hf Hoogspanning-mosfet

• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• type: fast ev-laadstation
• certificering: iso, tuv, rohs
• Model NR.: OSG65R035HF
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Air
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20kkkk/Monthly

Beschrijving

Algemene beschrijving
De GreenMOS® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS® Generic-serie is geoptimaliseerd voor extreme schakelprestaties om schakelverlies te minimaliseren. Het is speciaal ontworpen voor toepassingen met een hoge vermogensdichtheid om te voldoen aan de hoogste efficiëntienormen.

Functies                                                                                                    

• Laag RDS (aan) en FOM
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit

Toepassingen

• Pc-voeding
• LED-verlichting
• Telecom-vermogen
• Serverkracht
• EV-lader
• Zonne-energie/UPS
•  
• Belangrijkste prestatieparameters
•  

  Parameter	Waarde	Eenheid
  VDS, min. bij TJ (max.)	700	V
  ID, puls	240	A
  RDS (AAN) , MAX. BIJ VGS = 10 V.	35	Memo
  VGG	153.6	NC

  
  Informatie over markeren
   

  Productnaam	Pakket	Markering
  OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	650	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		50
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	240	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	80	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	240	A
Vermogensdissipatie3^) TC=25 °C.	PD	455	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	1700	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.27	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700				VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	2.8		4.0	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		0.028	0.035	IN DE	VGS=10 V, ID=40 A
			0.075			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			5	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		2.4		IN DE	ƒ= 1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		7549.2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		447.1		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		13.2		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		52.3		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=5 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		86.8		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		165.2		ns
Herfsttijd	tf		8.5		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		153.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		41.8		NC
Afvoer van de poort	Vraag		50.2		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		5.8		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		566.1		ns	VR=400 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		13.2		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		45.9		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in 2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 MH, starten TJ=25 °C.