• High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet
  • High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet
  • High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet
  • High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet
  • High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet
  • High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet

High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet

certificaat: RoHS, ISO
Vorm: Metal Porcelain Tube
afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
koelmethode: Luchtgekoeld Tube
Functie: switch Transistor
werken Frequency: Hoge frequentie

Contacteer leverancier

Gouden Lid Sinds 2022

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf
  • Overzicht
  • Productbeschrijving
Overzicht

Basis Informatie.

Model NR.
SFS04R011UGNF PDFN5x6
Structuur
Planar
inkapseling Structuur
Plastic Sealed Transistor
Kracht niveau
medium Vermogen
Materiaal
Silicium
beschrijving
extreem laag schakelverlies
kenmerken
uitstekende stabiliteit en uniformiteit
toepassingen1
pd-lader
toepassingen2
motoraandrijving
toepassingen3
schakelende spanningsregelaar
toepassingen4
dc-dc-omvormer
toepassingen5
schakelende voeding
Transportpakket
Carton
Specificatie
35x30x37cm
Handelsmerk
Orientalsemiconductor
Oorsprong
China
Gs-Code
854129000
Productiecapaciteit
20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

FSMOS® MOSFET is gebaseerd op het unieke apparaatontwerp van Oriental Semiconductor om een laag RDS(ON), lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine-eigenschappen te bereiken. De High Vth-serie is speciaal ontworpen voor gebruik in motorregelsystemen met een stuurspanning van meer dan 10 V.

Functies
  • Laag RDS (aan) en FOM (afbeelding van de verdienste)
  • Extreem laag schakelverlies
  • Uitstekende betrouwbaarheid en uniformiteit
  • Snel schakelen en zacht herstel
  • AEC-Q101 gekwalificeerd voor automotive-toepassingen

Toepassingen
  • PD-lader
  • Motoraandrijving
  • Schakelende spanningsregelaar
  • DC-DC-omvormer
  • Schakelende voeding


Belangrijkste prestatieparameters

 
Parameter Waarde Eenheid
VDS 40 V
ID, puls 800 A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V. 1.1 Memo
VGG 75.9 NC

Informatie over markeren

 
Productnaam Pakket Markering
SFS04R011UGNF PDFN5×6 SFS04R011UGN
 
Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 
Parameter Symbool Waarde Eenheid
Spanning van de drain-bron VDS 40 V
Spanning van gate-bron VGS ±20 V
Continue aftapcurrent1), TC=25 °C. ID 200 A
Gepulseerde afvoerstroom2), TC=25 °C. ID, puls 800 A
Continue diode vooruit-current1), TC=25 °C. IS 200 A
Diode pulserende stroom 2), TC=25 °C. IS, puls 800 A
Vermogensdissipatie3), TC=25 °C. PD 202 W
Enkelpulserende lawine energy5) EAS 240 MJ
Werking en opslagtemperatuur Tstg, TJ -55 tot 175 °C

Thermische kenmerken
 
Parameter Symbool Waarde Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast RθJC 0.74 °C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4) RθJA 62 °C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain BVDSS 40     V VGS=0 V, ID=250 ΜA
Drempelspanning van de poort VGS(Th) 2.0   4.0 V VDS=VGS, ID=250 ΜA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand RDS (AAN)   1.0 1.1 Memo VGS=10 V, ID=20 A
Lekstroom van gate-bron
IGSS
    100
Na
VGS = 20 V.
    -100 VGS = -20 V.
Lekstroom van de drain-bron IDSS     1 ΜA VDS=40 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand RG   3.2   IN DE ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Ingangscapaciteit CISS   5453   PF
VGS=0 V, VDS=25 V,
ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit COSS   1951   PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht CRS   113   PF
Vertragingstijd bij inschakelen td (aan)   17.5   ns
VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd tr   25.2   ns
Uitschakelvertraging td (uit)   48.2   ns
Herfsttijd tf   25.7   ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Totale poortkosten VGG   75.9   NC

VGS=10 V, VDS=40 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron QGS   25   NC
Afvoer van de poort Vraag   15.3   NC
Voltage van gate-plateau Vplateau   4.9   V

Kenmerken van de Body Diode
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Spanning diode vooruit VSD     1.3 V IS=20 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren trr   61.4   ns
VR=40 V, IS=40 A,
Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading Vraag   86   NC
Piekstroom voor herstel achteruit Irrm   2.7   A

Opmerking
  1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
  2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
  3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
  4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
  5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, starten TJ=25 °C.






 
 
High Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom Mosfet
 
High Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom MosfetHigh Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom MosfetHigh Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom MosfetHigh Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom MosfetHigh Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom Mosfet

 High Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom MosfetHigh Vth Series Vds 40V 800A Low RDS (on) & Fom Mosfet
 





 

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing

Misschien Vind Je Het Leuk

Contacteer leverancier

Gouden Lid Sinds 2022

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf
Maatschappelijk Kapitaal
10000000 RMB
Plantengebied
501~1000 Vierkante Meter