High Vth-serie VdS 40 V 800 A Low RDS (aan) en FOM Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: Metal Porcelain Tube
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: SFS04R011UGNF PDFN5x6
• Structuur: Planar
• inkapseling Structuur: Plastic Sealed Transistor
• Kracht niveau: medium Vermogen
• Materiaal: Silicium
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen1: pd-lader
• toepassingen2: motoraandrijving
• toepassingen3: schakelende spanningsregelaar
• toepassingen4: dc-dc-omvormer
• toepassingen5: schakelende voeding
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35x30x37cm
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

FSMOS® MOSFET is gebaseerd op het unieke apparaatontwerp van Oriental Semiconductor om een laag RDS(ON), lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine-eigenschappen te bereiken. De High Vth-serie is speciaal ontworpen voor gebruik in motorregelsystemen met een stuurspanning van meer dan 10 V.

Functies

• Laag RDS (aan) en FOM (afbeelding van de verdienste)
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende betrouwbaarheid en uniformiteit
• Snel schakelen en zacht herstel
• AEC-Q101 gekwalificeerd voor automotive-toepassingen

Toepassingen

• PD-lader
• Motoraandrijving
• Schakelende spanningsregelaar
• DC-DC-omvormer
• Schakelende voeding

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS	40	V
ID, puls	800	A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V.	1.1	Memo
VGG	75.9	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
SFS04R011UGNF	PDFN5×6	SFS04R011UGN

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	40	V
Spanning van gate-bron	VGS	±20	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	200	A
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	800	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	200	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	800	A
Vermogensdissipatie3^), TC=25 °C.	PD	202	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	240	MJ
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 175	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.74	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		1.0	1.1	Memo	VGS=10 V, ID=20 A
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 20 V.
				-100		VGS = -20 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	ΜA	VDS=40 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		3.2		IN DE	ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		1951		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		113		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		17.5		ns	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		25.2		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		48.2		ns
Herfsttijd	tf		25.7		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		75.9		NC	VGS=10 V, VDS=40 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		25		NC
Afvoer van de poort	Vraag		15.3		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		4.9		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=20 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		61.4		ns	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		86		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		2.7		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, starten TJ=25 °C.