Interleaved LLC Topologieën Osg65r038htzf To247 Hoogspanningsvoeding Mosfet

• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• type: fast ev-laadstation
• certificering: iso, tuv, rohs
• Model NR.: OSG65R038HTZF TO247
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35x37x30cm
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20kkkk/Monthly

Beschrijving

Algemene beschrijving
De GreenMOS® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS® Z-serie is geïntegreerd met een snelle hersteldiode (FRD) om de hersteltijd bij terugdraaien te minimaliseren. Het is geschikt voor resonante schakeltopologieën om een hogere efficiëntie, een hogere betrouwbaarheid en een kleinere vormfactor te bereiken.

Functies

• LAAG RDS (AAN) EN FOM
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• Ultrasnelle en robuuste diode

Toepassingen                                                                                             

• Pc-voeding
• Telecom-vermogen
• Serverkracht
• EV-lader
• Motoraandrijving

Belangrijkste prestatieparameters
 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min. bij TJ (max.)	700	V
ID, puls	240	A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V.	38	Memo
VGG	157.5	NC

Informatie over markeren
 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG65R038HTZF	TO247	OSG65R038HTZ

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	650	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		50.6
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	240	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	80	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	240	A
Vermogensdissipatie3 ^) , TC = 25  °C.	PD	450	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	2071	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.28	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=1 MA
		700				VGS=0 V, ID=1 mA, TJ=150 °C.
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		0.03	0.038	IN DE	VGS=10 V, ID=40 A
			0.078			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		8281		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		399.8		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		13		PF
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie	CO(er)		250.2		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V.
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgebonden	CO(tr)		1321		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		52.3		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		69.2		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		106.4		ns
Herfsttijd	tf		8.3		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		157.5		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		54.2		NC
Afvoer van de poort	Vraag		47.7		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		6.4		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		213.2		ns	VR = 400 V. IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		1.5		UC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		13.1		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in 2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=79.9 MH, starten TJ=25 °C.