Groot scherm beter dan het Gallium Nitride (GAN) apparaat In hoogfrequente operaties Super Si Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: Metal Porcelain Tube
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: OSS65R340DF TO252
• Structuur: Planar
• inkapseling Structuur: Plastic Sealed Transistor
• Kracht niveau: medium Vermogen
• Materiaal: Silicium
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 37*37*29CM
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

De GreenMOS® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS® SuperSi-serie is gebaseerd op het unieke apparaatontwerp van Oriental Semiconductor om extreem snelle schakelkarakteristieken te bereiken. Het is de perfecte vervanging voor het Gallium Nitride (GAN) apparaat bij hoogfrequente operaties met betere robuustheid en kosten. Het is bedoeld om te voldoen aan de meest agressieve efficiëntienormen van voedingssystemen door zowel de prestaties als de vermogensdichtheid tot extreme limieten te verdrijven.

Functies                                                                                                   

• LAAG RDS (AAN) EN FOM
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• Eenvoudig te ontwerpen

Toepassingen

• PD-lader
• Groot scherm
• Telecom-vermogen
• Serverkracht

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min. bij TJ (max.)	700	V
ID, puls	36	A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V.	340	Memo
VGG	9.6	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

Informatie over verpakking en PIN
 

 

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	650	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	12	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		7.6
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	36	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	12	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	36	A
Vermogensdissipatie3^), TC=25 °C.	PD	83	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	200	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	1.5	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		0.30	0.34	IN DE	VGS=10 V, ID=6 A.
			0.73			VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		443.5		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		59.6		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		1.7		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		22.4		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=6 A.
Stijgtijd	tr		17.5		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		40.3		ns
Herfsttijd	tf		7.2		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A.
Opladen van gate-bron	QGS		2.2		NC
Afvoer van de poort	Vraag		4.5		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		6.5		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=12 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		236.5		ns	VR=400 V, IS=6 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		2.2		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		19.1		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in 2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 MH, starten TJ=25 °C.