Low Gate Charge Fsmos Super Mosfet

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Silicon Wafers
• Type: Fast EV Charging Station
• Package: Pdfn5 X 6
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Isolated DC/DC Convertor
• Model NR.: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Model: Sfs04r013ugf
• Batch Number: 2024+
• Brand: Oriental Semi
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• certificering: ISO, TUV, RoHS
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35x30x37cm
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

FSMOS® MOSFET is gebaseerd op het unieke apparaatontwerp van Oriental Semiconductor om een laag RDS(ON), lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine-eigenschappen te bereiken. De low Vth-serie is speciaal geoptimaliseerd voor synchrone gelijkrichten met een lage aandrijfspanning.


Functies

• Laag RDS (AAN) en FOM (afbeelding van de verdienste)
• Extreem laag schakelverlies                                                                  
• Uitstekende betrouwbaarheid en uniformiteit
• Snel schakelen en zacht herstel
• AEC-Q101 gekwalificeerd voor automotive-toepassingen

Toepassingen

• Elektronische voeding voor consumenten
• Motorregeling
• Synchrone gelijkrichting
• Geïsoleerde DC/DC-omvormer
• Inverters

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS	40	V
ID, puls	600	A
RDS(AAN) MAX BIJ VGS=10V	1.1	Memo
VGG	118.4	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
SFS04R013UGF	PDFN5 x 6	SFS04R013UG

 

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain de bronspanning	VDS	40	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±20	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	200	A
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	600	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	200	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	600	A
Vermogensdissipatie3^), TC=25 °C.	PD	178	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	144	MJ
Werking en opslagtemperatuur	Tstg,TJ	-55 tot 175	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.84	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	1.2		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		0.9	1.1	Memo	VGS=10 V, ID=20 A
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		1.5	2.0	Memo	VGS=6 V, ID=20 A
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 20 V.
				-100		VGS = -20 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	UA	VDS=40 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		3.2		IN DE	ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		1951		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		113		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		23.9		ns	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		16.9		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		80.4		ns
Herfsttijd	tf		97.7		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		85.6		NC	VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A,
Opladen van gate-bron	QGS		17.6		NC
Afvoer van de poort	Vraag		14.5		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		3.6		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=20 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		71.1		ns	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		50.1		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		1.2		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. De waarde van RθJA wordt gemeten met het apparaat gemonteerd op een 1 in2 FR-4-bord met een inhoud van 2oz. Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25 °C.

VDD=30 V,VG=10 V, L=0.3 MH, starten TJ=25 °C.