Lage RDS (AAN) LED-verlichting Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• inkapseling Structuur: Plastic Sealed Transistor
• Installatie: Plug-in Triode
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Kracht niveau: medium Vermogen
• Functie: Vermogen Triode, Schakelen Triode
• Model NR.: OSG70R250KSF TO263
• Structuur: NPN
• Materiaal: Silicium
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• toepassing: omvormer voor in de auto
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: TO263
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene  beschrijving
De GreenMOS®  hoogspannings -MOSFET  maakt gebruik van de charge  balance-technologie om  een  uitstekende  lage  weerstand en   lagere  gate -lading te bereiken.   Het  is   ontworpen om  geleidingsverlies te minimaliseren  ,  superieure  schakelprestaties  en  robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De  GreenMOS®  S -serie  is  geoptimaliseerd  voor  de  schakelkarakteristieken   om   agressieve  EMI -standaarden te bereiken.  Het  is  eenvoudig te  gebruiken voor  kleinere  voedingssystemen   om  te voldoen aan de  efficiency  - en  EMI -normen.

Functies
.  LAAG  RDS (AAN)  EN  FOM
.  Extreem  laag schakelverlies  
.  Uitstekende stabiliteit en  uniformiteit

Toepassingen
.  Pc -voeding
.  LED -verlichting
.  Telecom -vermogen
.  Serverkracht  
.  EV -lader
.  Zonne-energie/UPS

Belangrijkste prestatieparameters  

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS	700	V
ID,  puls	38	A
RDS (AAN)  ,  MAX.  BIJ VGS = 10 V.	250	Memo
VGG	39	NC

Informatie over markeren  

 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG70R250KSF	TO263	OSG70R250KS

Informatie over verpakking en  PIN  
 

 

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ=25°C  tenzij  anders  vermeld

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	700	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue  aftapcurrent1 )  , TC=25  °C.	ID	17	A
Continue  aftapcurrent1 )  , TC=100  °C.		10.8
Gepulseerde  afvoerstroom2 )  , TC=25  °C.	ID,  puls	38	A
Continue  diode  vooruit -current1)  , TC=25  °C.	IS	17	A
Diode  pulserende  stroom 2)  , TC=25  °C.	IS,  puls	38	A
Vermogensdissipatie3 )  , TC=25 °C.	PD	163	W
Enkelpulserende lawine  energy5)	EAS	243	MJ
MOSFET  dv/dt  robuustheid, VDS=0…640 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde  diode  dv/dt, VDS=0…640 V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot  150	°C

Thermische kenmerken

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand,  aansluitkast	RθJC	0.77	°C/W
Thermische weerstand,  junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ=25°C  tenzij  anders  aangegeven
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Bron van de aftap afbraakspanning	BVDSS	700			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS  ,  ID=250  ΜA
Weerstand van de afvoerbron in de  toestand	RDS (AAN)		0.17	0.25	IN DE	VGS=10 V,  ID=8.5 A
			0.44			VGS=10 V,  ID=8.5 A, TJ=150  °C.
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-  100		VGS = -30 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	ΜA	VDS=700 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		9		IN DE	ƒ=1  MHz, Open  afvoer

Dynamische karakteristieken
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		1750		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=100  kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		200		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		13		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		17		ns	VGS = 10 V, VDS=400 V, RG=2  OHM, ID=8 A
Stijgtijd	tr		14		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		64		ns
Herfsttijd	tf		11		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		39		NC	VGS = 10 V, VDS=400 V, ID=8 A
Opladen van gate-bron	QGS		9		NC
Afvoer van de poort	Vraag		15		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		5.3		V

Kenmerken van de Body Diode
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=17 A, VGS = 0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		294		ns	VR  = 400 V, IS=8 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		4		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		25		A

Opmerking
1)   berekende continue stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane verbindingstemperatuur.  2)   Repetitieve  waarde;  pulsbreedte  beperkt  door  max. knooppunttemperatuur.
3)   PD  is  gebaseerd op  de max. knooppunttemperatuur,  waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4)    de  waarde  van  RθJA   wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op  een 1  in  2   FR-4 -bord  met  een inhoud van 2oz. Koper, in  een  omgeving met stillucht    met  Ta=25  °C.
5)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=75  MH, starten  TJ=25  °C.