Oriental Semi Sfs08r019hnf VdS-80 ID-800A RDS (AAN) -1,9 milliohm QG-144nc N-Channel Macht Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: Metal Porcelain Tube
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: Microwave Transistor, switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: SFS08R019HNF
• Structuur: verspreiding
• inkapseling Structuur: chip Transistor
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Materiaal: Silicium
• toepassing: mmp′s
• toepassing2: pd-lader
• toepassing3: motoraandrijving
• licht: 4-6 weken
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35x37x30cm
• Handelsmerk: Oriental semi
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene  beschrijving

oriental semi FSMOS®    MOSFET   is   gebaseerd  op  het    unieke  apparaatontwerp van Oriental Semiconductor   om    een laag RDS(ON) , lage  poortbelasting , snel  schakelen  en  uitstekende  lawine -eigenschappen te bereiken. De  High  Vth -serie is  speciaal   ontworpen voor  gebruik  in  motorregelsystemen    met  een stuurspanning    van meer  dan 10 V.  



Functies
      LAAG  RDS (AAN) EN  FOM
      Extreem  laag  schakelverlies  
      Uitstekende  betrouwbaarheid  en  uniformiteit
      Snel  schakelen  en  zacht  herstel

Toepassingen
      PD -lader
      Motoraandrijving  
      Schakelende  spanningsregelaar  
      DC-DC -omvormer
      Schakelende voeding    



Belangrijkste  prestatieparameters  

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS	80	V
ID,  puls	800	A
RDS(AAN), MAX.  BIJ VGS  = 10 V.	1.9	Memo
VGG	144	NC

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  vermeld

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	80	V
Spanning van gate-bron	VGS	±20	V
Continue  aftapcurrent1 ) , TC=25 °C.	ID	350	A
Gepulseerde  afvoerstroom2 ) , TC=25 °C.	ID,  puls	800	A
Continue  diode  vooruit -current1) , TC=25 °C.	IS	350	A
Diode  pulserende  stroom 2) , TC=25 °C.	IS, puls	800	A
Vermogensdissipatie3 ), TC=25 °C.	PD	450	W
Enkelpulserende   lawinewine  energy4)	EAS	735	MJ
Werking  en  opslagtemperatuur	Tstg  , TJ	-55 tot 175	°C

Thermische  kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische  weerstand, aansluitkast	RθJC	0.33	°C/W
Thermische  weerstand, junction-ambient	RθJA	62	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	80			V	VGS  = 0 V, ID  = 250 ΜA
Drempelwaarde poort   spanning	VGS(Th)	2		4	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		1.5	1.9	Memo	VGS  = 10 V, ID=30 A
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS  = 20 V.
				- 100		VGS  = -20 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	ΜA	VDS  = 80 V, VGS  = 0 V.
Aanspuitweerstand	RG		1.2		IN DE	ƒ=1 MHz, Open  afvoer

Dynamische  karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		11200		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 25 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		4880		PF
Capaciteit voor omgekeerde  overdracht	CRS		221		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		31		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, RG=2 OHM, ID=25  A
Stijgtijd	tr		26		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		75		ns
Herfsttijd	tf		28		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening   

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale  poortkosten	VGG		144		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 50 V, ID=25  A
Opladen van gate-bron	QGS		40		NC
Afvoer van de poort	Vraag		22		NC
Voltage van gate -plateau	Vplateau		3.8		V

Kenmerken van de Body  Diode  

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode  vooruit	VSD			1.3	V	IS=30 A, VGS  = 0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		123		ns	VR=50 V, IS=25 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		223		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		3.2		A

Opmerking
1)    berekende  continue  stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane  verbindingstemperatuur .
2)    Repetitieve  waarde; pulsbreedte   beperkt  door  max. knooppunttemperatuur .
3)    PD  is  gebaseerd  op  de max. knooppunttemperatuur , waarbij gebruik   wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0.3 MH, TJ  =25 °C.






 

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten