Interleaved Boost PFC PC Power Ultra-Fast en Robust Body Diode Osg65r099hszaf To247 VdS 650V RDS99mohm Fast Recovery-diode, hoogspanning Regulator Mosfet

• Type: Car Power Inverter
• Certificaat: RoHS
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• Model NR.: OSG65R099HSZAF TO247
• Transportpakket: Air
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20kkkk/Monthly

Beschrijving

Algemene beschrijving
De GreenMOS® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS® Z-serie is geïntegreerd met een snelle hersteldiode (FRD) om de hersteltijd bij terugdraaien te minimaliseren. Het is geschikt voor resonante schakeltopologieën om een hogere efficiëntie, een hogere betrouwbaarheid en een kleinere vormfactor te bereiken.

Functies                                                                                                    

• Laag RDS (aan) en FOM
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• Ultrasnelle en robuuste diode
• AEC-Q101 gekwalificeerd voor Automotive-toepassing

Toepassingen

• Pc-voeding
• Telecom-vermogen
• Serverkracht
• EV-lader
• Motoraandrijving

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS	650	V
ID, puls	96	A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V.	99	Memo
VGG	66.6	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

De HTRB-test werd uitgevoerd bij 600 V strikter dan de AEC-Q101 rev.C (80% V(BR)DSS). Alle andere tests werden uitgevoerd volgens AEC Q101 rev. E.

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	650	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	32	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		20
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	96	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	32	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	96	A
Vermogensdissipatie3 ^) , TC = 25  °C.	PD	278	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	648	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.45	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=1 MA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		0.090	0.099	IN DE	VGS=10 V, ID=16 A
			0.21			VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		7.8		IN DE	ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		3988		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		210		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		7.4		PF
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie	CO(er)		124		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgerelateerd	CO(tr)		585		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		46.0		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=20 A
Stijgtijd	tr		60.3		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		93.0		ns
Herfsttijd	tf		3.7		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		66.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A
Opladen van gate-bron	QGS		20.6		NC
Afvoer van de poort	Vraag		24.8		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		6.7		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=32 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		151.7		ns	IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		1.0		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		12.3		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, starten TJ=25 °C.