Pdfn5X6 Sfs08r024ug VdS-80 ID-520A RDS (AAN) -2,4 milliohm QG-73.8 NC-schakeling Modus voeding motoraandrijving voeding Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: ST
• afscherming Type: Remote Cut-Off Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: SFS08R024UGF
• Structuur: verspreiding
• inkapseling Structuur: chip Transistor
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Materiaal: Silicium
• Transportpakket: Air
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Algemene  beschrijving
FSMOS®    MOSFET   is   gebaseerd  op  het    unieke  apparaatontwerp van Oriental Semiconductor   om    lage RDS(ON) , lage  poortlading , snel  schakelen  en  uitstekende  lawine -eigenschappen te bereiken. De  low  Vth  -serie is  speciaal   geoptimaliseerd voor  synchrone  gelijkrichten  met   een lage  aandrijfspanning .




Functies
      LAAG  RDS (AAN) EN  FOM
      Extreem  laag  schakelverlies  
      Uitstekende  betrouwbaarheid  en  uniformiteit
      Snel  schakelen  en  zacht  herstel



Toepassingen
      Schakelende voeding    
      Motoraandrijving  
      Batterijbescherming  
      DC-DC -omvormer
      Omvormer
      UPS



Belangrijkste  prestatieparameters  

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS	80	V
ID,  puls	520	A
RDS(AAN), MAX.  BIJ VGS  = 10 V.	2.4	Memo
VGG	73.8	NC

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  vermeld

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	80	V
Spanning van gate-bron	VGS	±20	V
Continue  aftapcurrent1 ) , TC=25 °C.	ID	130	A
Gepulseerde  afvoerstroom2 ) , TC=25 °C.	ID,  puls	520	A
Continue  diode  vooruit -current1) , TC=25 °C.	IS	130	A
Diode  pulserende  stroom 2) , TC=25 °C.	IS, puls	520	A
Vermogensdissipatie3 ), TC=25 °C.	PD	132	W
Enkelpulserende   lawine  energy5)	EAS	205	MJ
Werking  en  opslagtemperatuur	Tstg  , TJ	-55 tot 175	°C

Thermische  kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische  weerstand, aansluitkast	RθJC	1.14	°C/W
Thermische  weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	80			V	VGS  = 0 V, ID  = 250 ΜA
Drempelwaarde poort   spanning	VGS(Th)	1		2.5	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		2	2.4	Memo	VGS  = 10 V, ID=50 A
			2.7	3.5		VGS  = 4.5 V, ID=50  A
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS  = 20 V.
				- 100		VGS  = -20 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	UA	VDS  = 80 V, VGS  = 0 V.
Aanspuitweerstand	RG		2.8		IN DE	ƒ=1 MHz, Open  afvoer

Dynamische  karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		4850		PF	VGS  = 0  V, VDS  = 25 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		1950		PF
Capaciteit voor omgekeerde  overdracht	CRS		116		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		13		ns	VGS  = 10 V, VDS  = 40 V, RG=2 OHM, ID=40  A
Stijgtijd	tr		11		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		59		ns
Herfsttijd	tf		22		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening   
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale  poortkosten	VGG		73.8		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 40 V, ID=40  A
Opladen van gate-bron	QGS		12.4		NC
Afvoer van de poort	Vraag		12		NC
Voltage van gate -plateau	Vplateau		3		V

Kenmerken van de Body  Diode  
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode  vooruit	VSD			1.3	V	IS=12 A, VGS  = 0  V.
Hersteltijd omkeren	trr		70		ns	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		66		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		1.6		A

Opmerking
1)    berekende  continue  stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane  verbindingstemperatuur .
2)    Repetitieve  waarde; pulsbreedte   beperkt  door  max. knooppunttemperatuur .
3)    PD  is  gebaseerd  op  de max. knooppunttemperatuur , waarbij gebruik   wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4)     de  waarde  van  RθJA   wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op een 1 in2  FR-4-bord  met een inhoud van 2oz. Koper, in  een  omgeving met stillucht    met  Ta=25 °C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, TJ  =25 °C.





 

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten