Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
---|---|
Material: | Element Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | SMD |
Signal Processing: | Digital |
Application: | Television |
Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties
Parameter | Waarde | Eenheid |
VDS, min. bij TJ (max.) | 650 | V |
ID, puls | 240 | A |
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V. | 30 | Memo |
VGG | 178 | NC |
Productnaam | Pakket | Markering |
OSG60R030HZF | TO247 | OSG60R030HZ |
Parameter | Symbool | Waarde | Eenheid |
Spanning van de drain-bron | VDS | 600 | V |
Spanning van gate-bron | VGS | ±30 | V |
Continue aftapcurrent1), TC=25 °C. | ID |
80 | A |
Continue aftapcurrent1), TC=100 °C. | 50 | ||
Gepulseerde afvoerstroom2), TC=25 °C. | ID, puls | 240 | A |
Continue diode vooruit-current1), TC=25 °C. | IS | 80 | A |
Diode pulserende stroom 2), TC=25 °C. | IS, puls | 240 | A |
Vermogensdissipatie3), TC=25 °C. | PD | 480 | W |
Enkelpulserende lawine energy5) | EAS | 2500 | MJ |
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V. | dv/dt | 50 | V/ns |
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
Werking en opslagtemperatuur | Tstg, TJ | -55 tot 150 | °C |
Parameter | Symbool | Waarde | Eenheid |
Thermische weerstand, aansluitkast | RθJC | 0.26 | °C/W |
Thermische weerstand, junction-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Spanning bij stroomstoring van de drain | BVDSS | 600 | V | VGS=0 V, ID=1 MA | ||
Drempelspanning van de poort | VGS(Th) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=2 MA, | |
Bron van de aftap weerstand in de status |
RDS (AAN) |
0.028 | 0.030 | IN DE |
VGS=10 V, ID=40 A | |
0.058 | VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C. | |||||
Lekstroom van gate-bron | IGSS |
100 | Na |
VGS = 30 V. | ||
-100 | VGS = -30 V. | |||||
Lekstroom van de drain-bron | IDSS | 10 | ΜA | VDS=600 V, VGS=0 V. | ||
Aanspuitweerstand | RG | 2.1 | IN DE | ƒ=1 MHz, Open afvoer |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Ingangscapaciteit | CISS | 9343 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz |
||
Uitgangscapaciteit | COSS | 708 | PF | |||
Capaciteit voor omgekeerde overdracht | CRS | 15 | PF | |||
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie | CO(er) | 345 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V. |
||
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgerelateerd | CO(tr) | 1913 | PF | |||
Vertragingstijd bij inschakelen | td (aan) | 52.1 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=40 A |
||
Stijgtijd | tr | 105.2 | ns | |||
Uitschakelvertraging | td (uit) | 125.7 | ns | |||
Herfsttijd | tf | 4.1 | ns |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Totale poortkosten | VGG | 177.9 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A |
||
Opladen van gate-bron | QGS | 37.4 | NC | |||
Afvoer van de poort | Vraag | 78.4 | NC | |||
Voltage van gate-plateau | Vplateau | 6.2 | V |
Parameter | Symbool | Min. | Normaal | Max. | Eenheid | Testconditie |
Spanning diode vooruit | VSD | 1.4 | V | IS=80 A, VGS=0 V. | ||
Hersteltijd omkeren | trr | 186.6 | ns | IS=40 A, Di/dt=100 A/μs |
||
Teruglooplading | Vraag | 1.6 | ΜC | |||
Piekstroom voor herstel achteruit | Irrm | 15.4 | A |
Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties