Tolerantie voor kortsluiting 1200 V DC-1 kHz discrete IGBT voor auto′s

• Certification: RoHS, CE, Aec-Q101
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: Medium Power
• Function: Power Triode, Switching Triode
• Model NR.: OST40N120HMF -3
• Structure: NPN
• Material: Silicon
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: TO247
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

De GreenMOS® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS® Z-serie is geïntegreerd met een snelle hersteldiode (FRD) om de hersteltijd bij terugdraaien te minimaliseren. Het is geschikt voor resonante schakeltopologieën om een hogere efficiëntie, een hogere betrouwbaarheid en een kleinere vormfactor te bereiken.

Functies

• LAAG RDS (AAN) EN FOM
• Extreem laag schakelverlies
• Uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• Ultrasnelle en robuuste diode

Toepassingen                                                                                             

• Pc-voeding
• Telecom-vermogen
• Serverkracht
• EV-lader
• Motoraandrijving

Belangrijkste prestatieparameters
 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min. bij TJ (max.)	650	V
ID, puls	240	A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V.	30	Memo
VGG	178	NC

Informatie over markeren
 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG60R030HZF	TO247	OSG60R030HZ

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	600	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Continue aftapcurrent1^), TC=100 °C.		50
Gepulseerde afvoerstroom2^), TC=25 °C.	ID, puls	240	A
Continue diode vooruit-current1^), TC=25 °C.	IS	80	A
Diode pulserende stroom 2^), TC=25 °C.	IS, puls	240	A
Vermogensdissipatie3^), TC=25 °C.	PD	480	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	2500	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

Thermische kenmerken
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	0.26	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Drempelspanning van de poort	VGS(Th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA,
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		0.028	0.030	IN DE	VGS=10 V, ID=40 A
			0.058			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			10	ΜA	VDS=600 V, VGS=0 V.
Aanspuitweerstand	RG		2.1		IN DE	ƒ=1 MHz, Open afvoer

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		9343		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		708		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		15		PF
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie	CO(er)		345		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgerelateerd	CO(tr)		1913		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		52.1		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 OHM, ID=40 A
Stijgtijd	tr		105.2		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		125.7		ns
Herfsttijd	tf		4.1		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		177.9		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Opladen van gate-bron	QGS		37.4		NC
Afvoer van de poort	Vraag		78.4		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		6.2		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.4	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		186.6		ns	IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		1.6		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		15.4		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur.
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur.
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, starten TJ=25 °C.

1. Welke dienst heeft u ?

Wij zijn leverancier en fabrikant van originele Power mosfeet en IGBT halfgeleider, we konden concurrerende prijs en verwachte snelle levering en goede kwaliteit met snelle service, we hebben ons eigen R&D team , en Engineer om ervoor te zorgen dat de beste service aan klanten voor duurzame ondersteuning.  
 
Mag ik een aantal monsters hebben om te testen?

We bieden gratis monsters aan voor onze klanten en ze hoeven alleen de vracht te betalen voor monsters.

3. Hoe zit het met de levering ?

Gewoonlijk is de levertijd ongeveer 1-4  weken na ontvangst van de betaling. Voor normale productie van onderdelen, Vertel ons drie maanden van tevoren als Global sourcing plan, zouden we de hoeveelheid in voorraad het hele jaar.
4. Hoe zit het met de betalingsvoorwaarden ?

Dit kan worden besproken op basis van de werkelijke ordersituatie.  
 
5. Hoe zit het met de voorwaarden voor verzending ?

EXW SHANGHAI ; we werken ook met DHL, FEDEX, TNT en etc. voor grote hoeveelheden is het aan klanten om de expediteur te kiezen, onze kunnen we bieden de service om klanten te helpen   

Heeft u een minimale bestelhoeveelheid nodig?

Op basis van de verschillende producten kunnen we voor de eerste proefbestelling de hoeveelheid aanbieden op basis van de vraag van de klant,  voor herhaalde bestelling is MOQ gebaseerd op de minimale verpakkingshoeveelheid.