Solar Invert VdS-80V ID-840A RDS (AAN) -2,6 milliohm QG-148.1nc To263 Sfg280n08kf N-Kanaal Mosfet

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Remote Cut-Off Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Model NR.: TO263 SFG280N08KF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35x30x37cm
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Algemene  beschrijving
SFGMOS®  MOSFET  is  gebaseerd  op  het   unieke  apparaatontwerp van Oriental Semiconductor   om   een laag  RDS(ON) , lage  poortlading , snel  schakelen  en  uitstekende  lawine -eigenschappen te bereiken. De  High  Vth -serie  is  speciaal  geoptimaliseerd voor  hoge  systemen  met  een spanning van meer dan     10 V.
 

Functies
      LAAG  RDS (AAN) EN  FOM
      Extreem  laag  schakelverlies  
      Uitstekende  stabiliteit  en  uniformiteit
      Snel  schakelen  en  zacht  herstel


Toepassingen
      Geschakelde  voeding   
      Motoraandrijving  
      Batterijbescherming  
      DC-DC -omvormer
      Zonneomvormer  
      UPS  en  energie -omvormer


Belangrijkste  prestatieparameters  
 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min.  bij TJ (max.)	80	V
ID,  puls	840	A
RDS(AAN), MAX.  BIJ VGS  = 10 V.	2.6	Memo
VGG	148.1	NC

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain  de bronspanning	VDS	80	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±20	V
Continue  aftapcurrent1 ) , TC=25 °C.	ID	280	A
Gepulseerde  afvoerstroom2 ) , TC=25 °C.	ID,  puls	840	A
Continue  diode  vooruit -current1) , TC=25 °C.	IS	280	A
Diode  pulserende  stroom 2) , TC=25 °C.	IS, puls	840	A
Vermogensdissipatie3 ) , TC=25 °C.	PD	375	W
Enkelpulserende   lawine  energy5)	EAS	1000	MJ
Werking  en  opslagtemperatuur	Tstg , TJ	-55 tot 150	°C

Thermische  kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische  weerstand, aansluitkast	RθJC	0.33	°C/W
Thermische  weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  aangegeven
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	80			V	VGS  = 0  V, ID  = 250 PA
Drempelwaarde poort   spanning	VGS(Th)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID =250 PA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		2.4	2.6	MQ	VGS  = 10 V, ID=20 A
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS  = 20 V.
				- 100		VGS  = -20 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	PA	VDS  = 80 V, VGS  = 0 V.

Opmerking
1)    berekende  continue  stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane  verbindingstemperatuur .
2)    Repetitieve  waarde; pulsbreedte   beperkt  door  max. knooppunttemperatuur .
3)    PD  is  gebaseerd  op  de max. knooppunttemperatuur , waarbij gebruik   wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4)     de  waarde  van  RθJA  wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op een 1 in 2 FR-4-bord  met een inhoud van 2oz. Koper, in  een  omgeving met stillucht    met  Ta=25 °C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, TJ  =25 °C.


Bestelinformatie  

Pakket Type	Eenheden/ Haspel	Rollen  /    binnenvak	Eenheden/   binnendoos	Binnendozen / doos	Eenheden/     doos
TO263-C	800	1	800	5	4000

Productinformatie  

Product	Pakket	PB -vrij	RoHS	Halogeenvrij
SFG280N08KF	TO263	ja	ja	ja

 

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten