Super N-Channelpower Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: Metal Porcelain Tube
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: SFG15N10DF
• Structuur: Planar
• inkapseling Structuur: Plastic Sealed Transistor
• Kracht niveau: medium Vermogen
• Materiaal: Silicium
• beschrijving: extreem laag schakelverlies
• kenmerken: uitstekende stabiliteit en uniformiteit
• toepassingen: pc-voeding
• industrieën: led-verlichting
• type: fast ev-laadstation
• garantie: 24 maanden
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: TO247
• Handelsmerk: Orientalsemiconductor
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 854129000
• Productiecapaciteit: 20K/Monthly

Beschrijving

Productbeschrijving

SFGMOS®   MOSFET  is  gebaseerd  op  het   unieke  apparaatontwerp van Oriental Semiconductor   om   een laag  RDS(ON)  ,  lage  poortlading,  snel schakelen en uitstekende  lawine -eigenschappen te bereiken.  De low Vth  -serie is speciaal  ontworpen voor  gebruik in synchrone  gelijkrichten  met lage aandrijfspanning.

Functies
.  LAAG  RDS (AAN)  EN  FOM
.  Extreem  laag schakelverlies  
.  Uitstekende  betrouwbaarheid  en  uniformiteit
.  Snel schakelen en zacht  herstel

Toepassingen
.  PD -lader
.  Motoraandrijving  
.  Schakelende spanningsregelaar  
.  DC-DC -omvormer
.  Geschakelde  voeding  

Belangrijkste prestatieparameters  
 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS,  min.  bij TJ (max.)	100	V
ID,  puls	45	A
RDS(AAN)  MAX BIJ VGS=10V	75	Memo
VGG	6.5	NC

Informatie over markeren

Productnaam	Pakket	Markering
SFG15N10DF	TO252	SFG15N10D

Absolute  maximumwaarden bij TJ=25°C  tenzij anders  vermeld

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain de bronspanning	VDS	100	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±20	V
Continue  aftapcurrent1)  , TC=25 °C.	ID	15	A
Gepulseerde afvoerstroom2)  , TC=25  °C.	ID,  puls	45	A
Continue  diode vooruit-current1)  , TC=25 °C.	IS	15	A
Diode  pulserende stroom 2)  , TC=25  °C.	IS,  puls	45	A
Vermogensdissipatie3)  , TC=25  °C.	PD	36	W
Enkelpulserende  lawine energy5)	EAS	5.5	MJ
Werking en opslagtemperatuur	Tstg , TJ	-55  tot  150	°C

Thermische kenmerken

 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische  weerstand, aansluitkast	RθJC	3.5	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C  tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Bron van de aftap afbraakspanning	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	1.2		2.5	V	VDS=VGS,  ID=250  ΜA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		50	75	Memo	VGS=10 V,  ID=5 A.
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		60	90	Memo	VGS=4.5 V,  ID=3 A.
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS = 20 V.
				-100		VGS = -20 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	ΜA	VDS=100 V, VGS=0  V.
Aanspuitweerstand	RG		28.8		IN DE	ƒ=1  MHz,  Open afvoer

Dynamische karakteristieken
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		310		PF	VGS = 0 V, VDS=25 V, ƒ=100  kHz
Uitgangscapaciteit	COSS		171		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		16.7		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		14		ns	VGS = 10 V, VDS=50 V, RG=2  OHM, ID=5  A
Stijgtijd	tr		3.2		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		36		ns
Herfsttijd	tf		14		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		6.5		NC	VGS = 10 V, VDS=50 V, ID=5  A
Opladen van gate-bron	QGS		1.4		NC
Afvoer van de poort	Vraag		1.4		NC
Voltage van gate -plateau	Vplateau		3.3		V

Kenmerken van de Body Diode
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=7  A, VGS = 0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		36		ns	VR=50 V, IS=5  A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		37		NC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		1.7		A

Opmerking
1)   berekende continue  stroom  gebaseerd op de maximaal toegestane verbindingstemperatuur.  2)   Repetitieve waarde;  pulsbreedte   beperkt  door  max. knooppunttemperatuur.
3)   PD is  gebaseerd op  de max. knooppunttemperatuur,  waarbij gebruik  wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
4)   de waarde van RθJA  wordt  gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op  een 1  in 2  FR-4 -bord met een inhoud van 2oz.  Koper,  in een omgeving met stillucht  met Ta=25  °C.
5)   VDD=30 V,VGS=10 V,  L=0.3  MH,  starten TJ=25  °C.