Transistorverbetering To252 Sfg10s20df VdS-100V ID-90A RDS (AAN) -20milliohm QG-16,2nc Voor schakelende spanningsregelaar N-kanaal Power Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: ST
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: TO252 SFG10S20DF
• Structuur: verspreiding
• inkapseling Structuur: chip Transistor
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Materiaal: Silicium
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35 x 30 x 37 CM
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Algemene  beschrijving
SFGMOS®   MOSFET  is  gebaseerd  op  het   unieke  apparaatontwerp van Oriental Semiconductor   om   lage RDS(ON)  , lage poortlading, snel schakelen en uitstekende lawine-eigenschappen te bereiken. De low Vth -serie is  speciaal   ontworpen voor  gebruik  in  synchrone  gelijkrichten  met    lage  aandrijfspanning .
 

Functies
      LAAG  RDS (AAN) EN FOM
      Extreem  laag  schakelverlies  
      Uitstekende  stabiliteit  en  uniformiteit
      Snel  schakelen  en  zacht  herstel


Toepassingen
      PD -lader
      Motoraandrijving  
      Schakelende  spanningsregelaar  
      DC-DC -omvormer
      Geschakelde  voeding   


Belangrijkste  prestatieparameters  
 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min.  bij TJ (max.)	100	V
ID, puls	90	A
RDS (AAN) , MAX.  BIJ VGS = 10 V.	20	Memo
VGG	16.2	NC

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ=25°C tenzij anders vermeld
 

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Drain de bronspanning	VDS	100	V
Spanning bron aanspuitopening	VGS	±20	V
Continue aftapcurrent1) , TC=25 °C.	ID	30	A
Gepulseerde afvoerstroom2) , TC=25 °C.	ID, puls	90	A
Continue diode vooruit -current1) , TC=25 °C.	IS	30	A
Diode pulserende stroom 2) , TC=25 °C.	IS, puls	90	A
Vermogensdissipatie3) , TC=25 °C.	PD	71	W
Enkelpulserende   lawine energy5)	EAS	57	MJ
Werking  en  opslagtemperatuur	Tstg , TJ	-55 tot 150	°C

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ=25°C  tenzij  anders  aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	100			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	1.4		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		13.8	20.0	Memo	VGS=10  V, ID=10 A
Bron van de aftap weerstand in de status	RDS (AAN)		17.4	26.0	Memo	VGS=4.5 V, ID=7 A.
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS = 20 V.
				-100		VGS = -20 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	ΜA	VDS=100 V, VGS=0 V.

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening   
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale  poortkosten	VGG		16.2		NC	VGS = 10 V, VDS=50 V, ID=5 A
Opladen van gate-bron	QGS		2.8		NC
Afvoer van de poort	Vraag		4.1		NC
Voltage van gate -plateau	Vplateau		3		V

Opmerking
1)    berekende  continue  stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane  verbindingstemperatuur .
2)    Repetitieve  waarde; pulsbreedte   beperkt  door  max. knooppunttemperatuur .
3)    PD  is  gebaseerd  op  de max. knooppunttemperatuur , waarbij gebruik   wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4)    de  waarde  van  RθJA  wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op een 1 in 2 FR-4-bord  met een inhoud van 2oz. Koper, in  een  omgeving met stillucht   met Ta=25 °C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0.3 MH, starten  TJ=25 °C.


Bestelinformatie  

Pakket Type	Eenheden/ Haspel	Rollen  /   binnenvak	Eenheden/   binnendoos	Binnendozen / doos	Eenheden/     doos
TO252-J	2500	2	5000	5	25000
TO252-P	2500	2	5000	5	25000

Productinformatie  

Product	Pakket	PB -vrij	RoHS	Halogeenvrij
SFG10S20DF	TO252	ja	ja	ja

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten