Tol Oss60r099TF VdS-650V ID-90A RDS (AAN) -99ohm QG-21.6ncn-Channel Power Mosfet

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: Subminiature
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: TOLL OSS60R099TF
• Structuur: Planar
• inkapseling Structuur: chip Transistor
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Materiaal: Silicium
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 35x30x37cm
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Algemene  beschrijving
De  GreenMOS®  hoogspannings  -MOSFET  maakt gebruik  van de charge  balance -technologie  om  een  uitstekende lage  weerstand en   lagere  gate -lading te bereiken.  Het  is   ontworpen om  geleidingsverlies te minimaliseren  , superieure  schakelprestaties   en  robuuste  lawine -mogelijkheden te bieden.
De  GreenMOS®  SuperSi -serie  is   gebaseerd op  het   unieke  apparaatontwerp van Oriental Semiconductor   om  extreem  snelle  schakelkarakteristieken  te bereiken. Het  is  de  perfecte  vervanging  voor  het  Gallium  Nitride (GAN) apparaat  bij  hoogfrequente   operaties  met  betere  robuustheid  en  kosten. Het   is bedoeld  om  te voldoen aan de  meest  agressieve  efficiëntienormen   van  voedingssystemen    door  zowel   de prestaties als  de vermogensdichtheid   tot  extreme  grenzen  te verleggen.


Functies
      LAAG  RDS (AAN) EN  FOM
      Extreem  laag  schakelverlies  
      Uitstekende  stabiliteit  en  uniformiteit


Toepassingen
      Pc -voeding
      LED -verlichting
      Telecom -vermogen
      Serverkracht  
      EV -lader
      Zonne-energie/UPS



Belangrijkste  prestatieparameters  

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min.  bij TJ (max.)	650	V
ID,  puls	90	A
RDS(AAN) , MAX  @ VGS  = 10V	99	Memo
VGG	21.6	NC

Absolute  maximumwaarden   bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  vermeld

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	600	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue  aftapcurrent1 ) , TC=25 °C.	ID	30	A
Continue  aftapcurrent1 ) , TC=100 °C.		19
Gepulseerde  afvoerstroom2 ) , TC=25 °C.	ID,  puls	90	A
Continue  diode  vooruit -current1) , TC=25 °C.	IS	30	A
Diode  pulserende  stroom 2) , TC=25 °C.	IS, puls	90	A
Vermogensdissipatie3 ), TC=25 °C.	PD	219	W
Enkelpulserende   lawine  energy5)	EAS	577.6	MJ
MOSFET  dv/dt  robuustheid, VDS  =0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde  diode  dv/dt, VDS  =0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking  en  opslagtemperatuur	Tstg  , TJ	-55 tot 150	°C

Thermische  kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische  weerstand, aansluitkast	RθJC	0.57	°C/W
Thermische  weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62.5	°C/W

Elektrische  karakteristieken  bij  TJ  = 25°C  tenzij  anders  aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	600			V	VGS  = 0 V, ID  = 250 ΜA
		650	740			VGS  = 0 V, ID  = 250 μA, TJ  = 150 °C.
Drempelwaarde poort   spanning	VGS(Th)	2.9		3.9	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Weerstand van de afvoerbron  in de toestand	RDS (AAN)		0.080	0.099	IN DE	VGS  = 10 V, ID=15 A
			0.192			VGS  = 10 V, ID=15 A, TJ  = 150 °C.
Gate-bron lekstroom	IGSS			100	Na	VGS  = 30 V.
				- 100		VGS  = -30 V.
Bron van de aftap lekstroom	IDSS			1	ΜA	VDS  = 600 V, VGS  = 0 V.

Laadkarakteristiek van de aanspuitopening   

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale  poortkosten	VGG		21.6		NC	VGS  = 10 V, VDS  = 400 V, ID=20  A
Opladen van gate-bron	QGS		6.9		NC
Afvoer van de poort	Vraag		7.8		NC
Voltage van gate -plateau	Vplateau		6.5		V

Kenmerken van de Body  Diode  
 

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode  vooruit	VSD			1.4	V	IS=30 A, VGS  = 0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		416.0		ns	VR = 400 V, IS=20 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		6.8		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		32.1		A

Opmerking
1)    berekende  continue  stroom  gebaseerd  op  de maximaal  toegestane  verbindingstemperatuur .
2)    Repetitieve  waarde; pulsbreedte   beperkt  door  max. knooppunttemperatuur .
3)    PD  is  gebaseerd  op  de max. knooppunttemperatuur , waarbij gebruik   wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4)     de  waarde  van  RθJA   wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op een 1 in2  FR-4-bord  met een inhoud van 2oz. Koper, in  een  omgeving met stillucht    met  Ta=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=60 MH, TJ   = 25 °C.


Bestelinformatie  

Pakket Type	Eenheden/ Haspel	Rollen/   binnenvak	Eenheden/   binnendoos	Binnendozen / doos	Eenheden/     doos
TOL-S	2000	1	2000	7	14000

Productinformatie  

Product	Pakket	PB -vrij	RoHS	Halogeenvrij
OSS60R099TF	TOL	ja	ja	ja

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten