VdS-700V ID-12A RDS (AAN) -1,4 milliohm QG-6.7nc EV-lader zonne-energie/UPS-voeding MOSFET

• certificaat: RoHS, ISO
• Vorm: ST
• afscherming Type: Sharp Cutoff Afscherming Tube
• koelmethode: Luchtgekoeld Tube
• Functie: switch Transistor
• werken Frequency: Hoge frequentie
• Model NR.: TO252 OSG65R1K4DF
• Structuur: Planar
• inkapseling Structuur: chip Transistor
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Materiaal: Silicium
• Transportpakket: Carton
• Specificatie: 37*37*29CM
• Handelsmerk: Orientalsemi
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: Over 1kk/Month

Beschrijving

Productbeschrijving

Algemene beschrijving

De GreenMOS® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS® Generic-serie is geoptimaliseerd voor extreme schakelprestaties om schakelverlies te minimaliseren. Het is speciaal ontworpen voor toepassingen met een hoge vermogensdichtheid om te voldoen aan de hoogste efficiëntienormen.
 

Functies

• Laag RDS (aan) en  FOM
• Extreem laag schakelverlies  
• Uitstekende stabiliteit en  uniformiteit

 

Toepassingen

• Pc -voeding
• LED-verlichting
• Telecom -vermogen
• Serverkracht  
• EV-lader
• Zonne-energie/UPS

 

Belangrijkste prestatieparameters

 

Parameter	Waarde	Eenheid
VDS, min. bij TJ (max.)	700	V
ID, puls	12	A
RDS (AAN) , MAX. BIJ VGS = 10 V.	1.4	IN DE
VGG	6.7	NC

Informatie over markeren

 

Productnaam	Pakket	Markering
OSG65R1K4DF	TO252	OSG65R1K4D

 

Absolute maximumwaarden bij TJ=25°C tenzij anders vermeld

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Spanning van de drain-bron	VDS	650	V
Spanning van gate-bron	VGS	±30	V
Continue aftapcurrent1), TC=25 °C.	ID	4	A
Continue aftapcurrent1), TC=100 °C.		2.5
Gepulseerde afvoerstroom2), TC=25 °C.	ID, puls	12	A
Continue diode vooruit-current1), TC=25 °C.	IS	4	A
Diode pulserende stroom 2), TC=25 °C.	IS, puls	12	A
Vermogensdissipatie3), TC=25 °C.	PD	28.4	W
Enkelpulserende lawine energy5)	EAS	112	MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Werking en opslagtemperatuur	Tstg, TJ	-55 tot 150	°C

 

Thermische kenmerken

Parameter	Symbool	Waarde	Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast	RθJC	4.4	°C/W
Thermische weerstand, junction-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ=25°C tenzij anders aangegeven

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700	770			VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Drempelwaarde poort spanning	VGS(Th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Weerstand van de afvoerbron in de toestand	RDS (AAN)		1.2	1.4	IN DE	VGS=10 V, ID=2 A.
			2.9			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 °C.
Lekstroom van gate-bron	IGSS			100	Na	VGS = 30 V.
				-100		VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron	IDSS			1	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.

 

Dynamische karakteristieken

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Ingangscapaciteit	CISS		259.9		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Uitgangscapaciteit	COSS		21.1		PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht	CRS		0.9		PF
Vertragingstijd bij inschakelen	td (aan)		30.9		ns	VGS=10 V, VDS=380 V, RG=25 OHM, ID=4 A.
Stijgtijd	tr		20.7		ns
Uitschakelvertraging	td (uit)		56.3		ns
Herfsttijd	tf		28.7		ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Totale poortkosten	VGG		6.7		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=4 A.
Opladen van gate-bron	QGS		1.5		NC
Afvoer van de poort	Vraag		3.2		NC
Voltage van gate-plateau	Vplateau		6.4		V

Kenmerken van de Body Diode

Parameter	Symbool	Min.	Normaal	Max.	Eenheid	Testconditie
Spanning diode vooruit	VSD			1.3	V	IS=4 A, VGS=0 V.
Hersteltijd omkeren	trr		162		ns	VR=400 V, IS=4 A, Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading	Vraag		1.2		ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit	Irrm		7		A

Opmerking

1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur .
2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur .
3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische  weerstand in de behuizing.
4. De  waarde  van  RθJA  wordt   gemeten met  het  apparaat  gemonteerd  op  een 1  in  2  FR-4 -bord  met  een inhoud van 2oz.  Koper, in een omgeving met stillucht met Ta=25  °C.
5. VDD=50 V, VGS=10 V, L=20 MH, starten TJ=25  °C.

 

Toeleveringsketen

Verklaring van groene producten