GAN Epi groeide op Sapphire Wafer Manufacture en Supplier
| Minimale Bestelling: | 20 Stukken |
|---|---|
| Havenplaats: | Shanghai, China |
| Transportpakket: | Cassette |
| Betalingscondities: | T/T |
Gelijkwaardige Producten
Bezig met laden...
Interessant Voor U
Bezig met laden...
Beschrijving
Bedrijfsinfo
Adres:
Lisheng Industrial Building, 60 Suli Road, Suzhou, Jiangsu, China
Soort bedrijf:
Fabrikant/fabriek
Zakelijk Bereik:
Elektrotechniek & Elektronica's, Industriële Apparaturen & Onderdelen, Produceren & Verwerken Machine
Bedrijfsintroductie:
Homray Material Technology werd opgericht in 2009, is een hightech bedrijf dat gespecialiseerd is in het leveren van Silicon Carbide (SiC) substraat wafer en SiC Epi wafer, Gallium Nitride (GAN) substraat wafer en GAN Epi wafer. Het wordt algemeen erkend dat samengestelde halfgeleider (SiC, GAN) met zijn superieure eigenschappen als brede bandgap naar verwachting de meest veelbelovende materiaalkeuze voor apparatuur van de volgende generatie zal zijn. SIC-apparaat en GAN-apparaten kunnen tegelijkertijd lage verliezen en snelle schakeling/oscillatie bereiken vanwege het hoge kritische elektrische veld. Homray Material Technology zet zich in voor de ontwikkeling van hoogwaardige SiC wafer en GAN wafer voor RF, energie-elektronica en opto-elektronica toepassingen. Als toonaangevende fabrikant en leverancier van wafers in de halfgeleiderindustrie zijn onze dealers en partners voornamelijk gedistribueerd in Europa, de VS, Zuidoost-Azië en Zuid-Amerika. Onze omzet bedroeg in 2019 meer dan 50 miljoen Amerikaanse dollar. Uitstekende productkwaliteit en professionele service wonnen het vertrouwen en de steun van onze klanten in de wereld, evenals ons marktaandeel.
Ons productassortiment omvat siliciumcarbide(SiC)-substraatwafer en SiC Epi-wafer, Gallium Nitride(GAN)-substraatwafer en GAN Epi-wafer, testsiliciumwafer en dummy-siliciumwafer. In feite is de GAN-on-Si-technologie beschouwd als de beste keuze voor GAN-energie-elektronica, omdat deze de prestaties van het apparaat en de productiekosten benut. Het succes van GAN-epitaxie op grote Si-substraten belooft een opmerkelijke kostendaling en een mogelijkheid van massaproductie op basis van CMOS-compatibele technologie. Homray Material Technology GAN Epi wafer omvat GAN-on-Silicon, GAN-on-SiC, GAN-on-Sapphire Epi wafers met verschillende afmetingen en verschillende technische parameters. Homray Material Technology HEMT-wafers zijn geoptimaliseerd met extreem lage bufferlekkage en lage buffervallen, die de belangrijkste kenmerken zijn voor hoogwaardige GAN-apparaten. We leveren halfgeleiderproducten met superieure prestaties en betrouwbaarheid, en zijn toegewijd om ′s werelds grootste bedrijf te worden in de snel groeiende halfgeleiderindustrie.
Ons productassortiment omvat siliciumcarbide(SiC)-substraatwafer en SiC Epi-wafer, Gallium Nitride(GAN)-substraatwafer en GAN Epi-wafer, testsiliciumwafer en dummy-siliciumwafer. In feite is de GAN-on-Si-technologie beschouwd als de beste keuze voor GAN-energie-elektronica, omdat deze de prestaties van het apparaat en de productiekosten benut. Het succes van GAN-epitaxie op grote Si-substraten belooft een opmerkelijke kostendaling en een mogelijkheid van massaproductie op basis van CMOS-compatibele technologie. Homray Material Technology GAN Epi wafer omvat GAN-on-Silicon, GAN-on-SiC, GAN-on-Sapphire Epi wafers met verschillende afmetingen en verschillende technische parameters. Homray Material Technology HEMT-wafers zijn geoptimaliseerd met extreem lage bufferlekkage en lage buffervallen, die de belangrijkste kenmerken zijn voor hoogwaardige GAN-apparaten. We leveren halfgeleiderproducten met superieure prestaties en betrouwbaarheid, en zijn toegewijd om ′s werelds grootste bedrijf te worden in de snel groeiende halfgeleiderindustrie.
