G80n60ufd Transistor IGBT-buis G80n60 voor ultrasone lasmachine

• Vorm: GT
• afscherming Type: Remote Cut-Off Afscherming Tube
• koelmethode: Natuurlijk Gekoelde Tube
• werken Frequency: overklokken
• Structuur: Legering
• inkapseling Structuur: Keramische Verpakte Transistor
• Model NR.: G80N60
• Kracht niveau: Hoge spanning
• Materiaal: Silicium
• merknaam: origineel
• productnummer: sgh80n60ufd
• bedrijfstemperatuur: standaard
• gedetailleerde beschrijving: igbt - 600 v 80 a 195 w gat naar-3p
• categorie: igbt
• igbt-type: /
• Transportpakket: Woven
• Specificatie: TUBE
• Handelsmerk: origineel
• Oorsprong: China
• Productiecapaciteit: 100000000

Beschrijving

Productparameters

Functies
• schakelen met hoge snelheid
• lage saturatiespanning: VCE(Sat) = 2.1 V bij IC = 40A
• Hoge ingangsimpedantie
• CO-pak, IGBT met FRD : trr = 50ns (normaal)

Bedrijfsprofiel



Productverpakking
VEELGESTELDE VRAGEN