• Originele Irfz34n Field-Effect Van geïntegreerde schakelingen van de Macht Transistor Irfz34n
  • Originele Irfz34n Field-Effect Van geïntegreerde schakelingen van de Macht Transistor Irfz34n

Originele Irfz34n Field-Effect Van geïntegreerde schakelingen van de Macht Transistor Irfz34n

certificaat: RoHS, CE, ISO, CCC
Kracht niveau: medium Vermogen
Functie: lichtgevoelig, Mosfet
Materiaal: Silicium
producttype: mosfet
installatiestijl: door gat

Neem contact op met de leverancier

360° Virtuele Rondleiding

Diamant Lid Sinds 2016

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Beoordeling: 5.0/5
Handelsbedrijf

Basis Informatie.

Model NR.
IRFZ34N
productnummer
Irfz34npbf
beschrijving
mosfet n-ch 55 v 29a
gedetailleerde beschrijving
n-kanaal 29a (tc) 68w (tc) t
categorie
transistor
fet-type
n-kanaal
technologie
mosfet
drain naar bronspanning (vdss)
55 V
Handelsmerk
International Rectifier

Beschrijving

Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n
Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n





Product Paramenters


 
Reeks HEXFET®
Pakket Buis
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25° C 29A (Tc)
Het Voltage van de aandrijving (Maximum Rds, Min- Rds) 10V
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 40mOhm @ 16A, 10V
Van Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µ A
(Maximum) Vgs ± 20V
(De Maximum) Dissipatie van de macht 68W (Tc)
Werkende Temperatuur - 55° C ~ 175° C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Afvoerkanaal aan BronVoltage (Vdss) 55 V
De Last van de poort ((Maximum) Qg) @ Vgs nC 34 @ 10 V


Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n
Het Profiel van het bedrijf
Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n

Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n
 


Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34nOriginal Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n

De verpakking van het product
Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n
FAQ


1. Who zijn u?
Wij zijn Fabrikant van Eigen Spaanders Inbegrepen IC van China Van uitstekende kwaliteit, Transistor, Weerstand,
Condensatoren, Geheugen, IGBT, Mosfet, Traic/SCR, Optoelectronics. Almost alle componenten
van elektronika in onze productie

2. Do u ook verkopende Originele delen?
Ja, leveren wij ook originele Materialen bcz elk van onze ontworpen spaanders op Origineel gebaseerd zijn,
Zo werken wij met wat samen Origineel van de Afdeling van het Ontwerp en van de Ontwikkeling dat
wij hebben goede bronnen van origineel

3. What is uw voordeel?
Onze Producten Van uitstekende kwaliteit met redelijke prijs kunnen de originele componenten volledig vervangen

4. Can u verleent OEM de Dienst?
Ja, kunnen wij, als u Projecten en verzoekplz hebben ons contacteren

5. Can ik koop alle im requireing componenten van u?
Natuurlijk ja, van het citaat van de Lijst Bom tot Huis-aan-huis expresdienst, hebben wij beroeps
Verkoop om aan u de hele tijd te verbinden.



Original Integrated Circuits Irfz34n Power Field-Effect Transistor Irfz34n
 

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing

Zoek vergelijkbare producten op categorie

Startpagina leverancier Producten Transistors Transistor - bipolair (BJT) Originele Irfz34n Field-Effect Van geïntegreerde schakelingen van de Macht Transistor Irfz34n