Lichtgevende diode Pattern Sapphire Substrate 2 "

" voordelen:
Technologie: Wij gebruiken hoge precisiephotoresist deklaagproces, maken de photoresist deklaag controle in handelbaar strikt verwerken, om de deklaagtekorten te vermijden, gebruikend nanoscale lithografieproces, door de toepassing van photoresist apparatuur aanpassing, oplosten het uit-van-nadrukprobleem onder niveau 1 umlithografie, zodat de controle van de beeldgrootte in het toepassingsgebied van regelgeving, om de uniformiteit van de grafiek te verzekeren verenigbare, hoge efficiency, de techniek van de hoge precisieets is. Door droog etsproces van de ICP etsapparatuur, het cilindrische photoresist masker ets voor kegel beste grafiek, om nanoscale ets te bereiken, en opgelost de uniformiteit van de wafeltjeets en de kegel grafische grootteafwijking, enz.
De parameters van het product:
Materiaal: Hoge zuiverheids enig kristal AI203 > 99.99;
Richtlijn: C as (0001) +/- 0.20;
De diameter van het substraat: 50.8 +/- 0.25 mm;
De dikte van het substraat: 430 (met inbegrip van m + 20 (met inbegrip van m;
De afwijkingsgraden van het substraat: 0 - (-) 10 (met inbegrip van m;
Richting van de plaatsbepaling van oppervlakte: Oppervlakte (11-20) +/- 0.30;
De lengte van de localisatie: 16 +/- 0.5 mm;
Totaal dikteverschil (TTV): < (met inbegrip van 10m;
Op de rug: Ra = 0.5 tot 1.0 (met inbegrip van m;
"