Antimonide van het indium (InSb)

1. Dia 3 '', lenth 100mm
2. De dichtheid van de dislocatie: <100cm-2
3. Meer dan tien jaar ervarings om dit soort kristal te maken;
4. De groei: CZ
InSb heeft de verschijning van donker-grijze zilverachtige metaalstukken of poeder met glasglans. Wanneer onderworpen aan temperaturen meer dan 500 ° C, smelt het en ontbindt, bevrijdend antimonium en van het antimoniumoxyde dampen
InSb bedraagt een smal-hiaathalfgeleider met een hiaat van de energieband van 0.17 eV 300 K en 0.23 eV bij 80 K. De kristalstructuur is zincblende met een constante van het 0.648 NMrooster
Undoped InSb bezit de grootste mobiliteit van het omringend-temperatuurelektron (78000 cm2 (V*s)), de snelheid van de elektronenafwijking, en ballistische lengte (tot 0.7 μm bij 300 K) van om het even welke bekende halfgeleider, behalve misschien voor koolstof nanotubes.
Antimonide van het indium de fotodiodedetectors zijn photovoltaic, producerend elektrische stroom wanneer onderworpen aan infrarode straling. Is de interne quantumefficiency van InSb effectief 100% maar is een functie van de dikte in het bijzonder voor dichtbijgelegen bandedge fotonen. Als alle smalle bandgapmaterialen vereisen de detectors van InSb periodieke recalibrations, die de ingewikkeldheid van het weergavesysteem verhogen. Deze toegevoegde ingewikkeldheid is lonend waar de extreme gevoeligheid, b.v. wordt vereist. In lange-afstands militaire thermische weergavesystemen. De detectors van InSb vereisen ook koel, aangezien zij bij cryogene temperaturen (typisch 80 K) moeten werken. De grote series (tot pixel 2048x2048) zijn beschikbaar. HgCdTe en PtSi zijn materialen met gelijkaardig gebruik
Een laag van indiumantimonide die tussen lagen van antimonide van het aluminiumindium kan wordt geklemd als quantum goed dienst doen. Deze benadering wordt bestudeerd om zeer snelle transistors te construeren. De bipolaire transistors die bij frequenties werden tot 85 GHz in werking stellen geconstrueerd van indiumantimonide in de recente jaren '90; Field-effect de transistors die bij meer dan 200 GHz werken zijn meer onlangs gemeld (Intel/QinetiQ). Sommige modellen stellen voor dat terahertz de frequenties met dit materiaal uitvoerbaar zijn. Antimonide van het indium de halfgeleiderapparaten kunnen ook met voltages onder 0.5 V opereren, die hun machtsvereisten verminderen