Reactief Ion-etsysteem Rie-storingsanalyse ICP Ebeam

• After-sales Service: 3 Year
• Warranty: 1 Year
• Type: Elektrische Ets Machine
• Object: Rie
• Gebruik: Rie
• Precisie: High Precision
• Model NR.: MD150-RIE MD200-RIE MD200C-RIE
• Conditie: Nieuw
• Handelsmerk: minder-hightech
• Oorsprong: China
• Productiecapaciteit: 100

Beschrijving

Reactief ionenetchsysteem
RIE

Toegepaste materialen:
Passivation-laag: SiO2, sinx
Backlimop
Kleeflaag: Bruin
Gat: W

Functie:1. Etsen van passivatielaag met of zonder gaten; 2. Etsen van de lijmlaag; 3. Terug silicium etsen

Projectconfiguratie en schema van de machinestructuur

Item	MD150-RIE	MD200-RIE	MD200C-RIE
Productgrootte	≤6 inch	≤8 inch	≤8 inch
RF-voedingsbron	0-300 W/500 W/1000 W instelbaar, automatisch passend
Moleculaire pomp	-/620(L/s)/1300(L/s)/aangepast		Antiseptic620(L/s)/1300(L/s)/aangepast
Foreline-pomp	Mechanische pomp/droge pomp		Droge pomp
Procesdruk	Ongecontroleerde druk/0-1Torr geregelde druk
Type gas	H/CH4/O2/N2/AR/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/AANGEPAST (Maximaal 9 kanalen, geen corrosief en giftig gas)		H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBR (maximaal 9 kanalen)
Gasbereik	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/custom
LoadLock	Ja/Nee		Ja
Sample-temregeling	10°C~kamer tem/-30°C~100°C/aangepast		-30°C~100°C /aangepast
Terugheliumkoeling	Ja/Nee		Ja
Voering procesholte	Ja/Nee		Ja
Controle van de spouwwand	Nee/Roomtem~60/120°C.		Ruimte tem-60/120°C.
Regelsysteem	Automatisch/aangepast
Etsmateriaal	Op silicium gebaseerd:Si/SiO2/sinx ··· IV-IV: SIC Magnetische materialen/legeringen Metallic materiaal: Ni/Cr/al/Au..... Organisch materiaal: PR/PMMA/HDMS/Organic film ......		Op silicium gebaseerd: SI/SiO2/sinx...... III-V(3): INP/GAA/GAN...... IV-IV: SIC II-VI (3): CdTe...... Magnetische materialen/legeringen Metallic materiaal: Ni/Cr/A1/Au...... Organisch materiaal: PR/PMMA/HDMS/organische film...

Resultaat verwerken
^{Etsen van materiaal op basis van silicium
Materialen op basis van silicium, nano-imprint patronen, array
patronen en lenspatroon-etsing}

INP normale temperatuur etsen
Patroonets van op InP gebaseerde apparaten die worden gebruikt in optische communicatie, waaronder waveguide-structuur, ridge-structuur van de resonantiecaviteitsstructuur, enz.

SIC-materiaal etsen
Geschikt voor microgolfapparatuur, stroomvoorzieningen, enz.

Fysieke sputtering, etsen organische materiale tching

Het wordt toegepast op het etsen van moeilijk te etsen materialen zoals sommige metalen (zoals Ni / CR) en keramiek, en het patternede tching van materialen wordt gerealiseerd door fysieke bombardementen.

Het wordt gebruikt voor het etsen en verwijderen van organische verbindingen Zoals fotoresist (PR)/ PMMA / HDMS / polymeer

Cermet-filmmateriaal (Au/Ni/CR/Al2O3)


Weergave van de resultaten van de storingsanalyse


Specificatie:
1. Voorkom dat chips vliegen
2. Minimale knoop die kan worden verwerkt: 14 nm;
3. SiO2/sinx-etsnelheid: 50-150 nm/min;
4. Ruwheid geëtste oppervlakken:<1 nm;
5. Ondersteuning van de passivatielaag, de hechtlaag en het aanbrengen van siliciumgravings op de rug;
6. Selectieverhouding Cu/al:>50
7. All-in-One machine LxBxH: 1300 mmX750 mmX950 mm
8. Ondersteuning van de uitvoering met één muisklik

Klantlocatie: