Mrs. Daisy
Adres:
No. 218, Xinghu Street, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu, China
Telefoon:
Postcode:
Fax:
| Meld u aan om contactgegevens te bekijken |
Account geregistreerd op:
2011
Zakelijk Bereik:
Elektrotechniek & Elektronica's, Metallurgische, Mineralen & Energie
Certificering Van Managementsysteem:
ISO 9001
Soort bedrijf:
Fabrikant/fabriek
Hoofd Producten:
Bedrijfsintroductie
Handelscapaciteit
Productiecapaciteit
Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN) opgericht in Suzhou Industry Park, China in mei 2007, is een hightech bedrijf dat zich toelegt op het vervaardigen van hoogwaardige Gallium Nitride (GAN) substraten en het ontwikkelen van de gerelateerde technologieën.
Het belangrijkste voordeel van NANOWIN is de ongeëvenaarde materiaalexpertise die essentiële patenten bezit op het gebied ...
Het belangrijkste voordeel van NANOWIN is de ongeëvenaarde materiaalexpertise die essentiële patenten bezit op het gebied ...
Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN) opgericht in Suzhou Industry Park, China in mei 2007, is een hightech bedrijf dat zich toelegt op het vervaardigen van hoogwaardige Gallium Nitride (GAN) substraten en het ontwikkelen van de gerelateerde technologieën.
Het belangrijkste voordeel van NANOWIN is de ongeëvenaarde materiaalexpertise die essentiële patenten bezit op het gebied van GAN-substraten en groeitechnologieën. NANOWIN biedt standaard en op maat gemaakte vrijstaande GAN-substraten en dikke GAN/saffiersjablonen met extra lage dislocatiedichtheden die geschikt zijn voor toepassingen in krachtige LED, blauwe LD en krachtige elektronische/elektrische apparaten. De belangrijkste producten van NANOWIN zijn 2-inch GAN/saffier sjablonen met een GAN dikte van 15 tot 90 micron, 2-inch vrijstaande GAN substraten met een dikte van ongeveer 350 micron en Ga-oppervlak dislocatie dichtheid binnen 106 cm-2, klein vierkant (zijlengte 1~2 centimeter/1inch/1,5 inch/1,8 inch) vrijstaande GAN-substraten, niet-vlak (GAN/polair) GAN-poeder en ALN-substraten (PSS) met een hoge kristalliteit. Alle GAN-sjablonen en substraten die door NANOWIN worden geproduceerd, omvatten drie categorieën: N-type dooped, undooped en semi-isolerend dooped.
Ons strategische doel is om een toonaangevende leverancier van nitride halfgeleiders te worden en een pionier te worden in de industriële toepassingen van nitride halfgeleiders.
Het belangrijkste voordeel van NANOWIN is de ongeëvenaarde materiaalexpertise die essentiële patenten bezit op het gebied van GAN-substraten en groeitechnologieën. NANOWIN biedt standaard en op maat gemaakte vrijstaande GAN-substraten en dikke GAN/saffiersjablonen met extra lage dislocatiedichtheden die geschikt zijn voor toepassingen in krachtige LED, blauwe LD en krachtige elektronische/elektrische apparaten. De belangrijkste producten van NANOWIN zijn 2-inch GAN/saffier sjablonen met een GAN dikte van 15 tot 90 micron, 2-inch vrijstaande GAN substraten met een dikte van ongeveer 350 micron en Ga-oppervlak dislocatie dichtheid binnen 106 cm-2, klein vierkant (zijlengte 1~2 centimeter/1inch/1,5 inch/1,8 inch) vrijstaande GAN-substraten, niet-vlak (GAN/polair) GAN-poeder en ALN-substraten (PSS) met een hoge kristalliteit. Alle GAN-sjablonen en substraten die door NANOWIN worden geproduceerd, omvatten drie categorieën: N-type dooped, undooped en semi-isolerend dooped.
Ons strategische doel is om een toonaangevende leverancier van nitride halfgeleiders te worden en een pionier te worden in de industriële toepassingen van nitride halfgeleiders.
Internationale Handelsvoorwaarden (Incoterms):
FOB, CIF
Betalingsvoorwaarden:
T/T, Western Union
Gemiddelde Doorlooptijd:
Doorlooptijd Hoogseizoen: 1-3 Maanden, Doorlooptijd Buiten Het Seizoen: Binnen 15 Werkdagen
Aantal Buitenlandse Handelspersoneel:
4~10 Personen
Jaar Exporteren:
2008-07-10
Exportpercentage:
21%~30%
Jaarlijkse Exportinkomsten:
10000~1miljoen USD
Belangrijkste Markten:
Noord Amerika, Sud America, Oost-Europa, Zuid-Oost Azië, Africa, Oceanië, Midden-Oosten, Oost Azië, West-Europa
Import- en Exportmodus:
Heb een Eigen Exportlicentie
Fabrieksadres:
NO.218,Xinghu Street,Suzhou Industrial Park,Jiangsu,PRC
Aantal R&D-personeel:
11-20 Personen
Aantal Productielijnen:
4