Basis Informatie.
Manufacturing Technology
Discrete Device
Materiaal
Compound Semiconductor
Verpakking
1 in One-Package
Toepassing
High Power Converters
Beschrijving
Opmerking: Neem gerust contact met ons op voor een volledig datasheet !
Algemene beschrijving: De IGBT-voedingsmodule zorgt voor ultralage geleidingsverliezen en voor een kortsluiting. Ze zijn ontworpen voor toepassingen zoals omvormers met een hoog vermogen.
Functies
Lage VCE (Sat) SPT IGBT-technologie
Lage schakelverliezen
10 μs kortsluitingsvermogen
VCE(Sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
AlSiC-basisplaat voor een hoog vermogen
ALN-substraat voor lage thermische weerstand
Zeer betrouwbaar pakket
Typische toepassingen
Krachtige omvormer
Windkracht
Rijaandrijving
Absolute maximumwaarden TC=25°C tenzij anders vermeld IGBT Symbool | Beschrijving | Waarde | Eenheid |
VCES | Spanning collector-emitter | 3300 | V |
VGES | Spanning gate-emitter | ±20 | V |
IC | Collectorstroom @ TC=25°C. BIJ TC = 100 °C. | 1500 800 | A |
ICM | Stroom pulserende collector tp=1 ms | 1600 | A |
PD | Maximale vermogensdissipatie bij TJ=150°C. | 9.62 | KW |
Diode Symbool | Beschrijving | Waarde | Eenheid |
VRRM | Repetitieve piekspanning achteruit | 3300 | V |
ALS | Diode continue stroom vooruit | 800 | A |
IFM | Maximale stroom vooruit diode tp=1 ms | 1600 | A |
Module Symbool | Beschrijving | Waarde | Eenheid |
Tjmax | Maximale knooppunttemperatuur | 150 | °C |
Tjop | Temperatuur van de verbinding tijdens bedrijf | -40 tot +125 | °C |
TSTG | Opslagtemperatuur | -40 tot +125 | °C |
VISO | Isolatiespanning RMS,f=50 Hz,t=1 min. | 6000 | V |
VISO | Uitslagspanning gedeeltelijke ontlading IEC1287,RMS,f=50 Hz,QPD≤10 pc | 2600 | V |
| | | |
IGBT -kenmerken TC=25°C tenzij anders vermeld Symbool | Parameter | Testomstandigheden | Min. | Normaal | Max. | Eenheid |
VCE (Sat) | Collector naar zender Verzadigingsspanning | IC=800A,VGE=15V, TJ=25°C. | | 3.10 | 3.40 | V |
IC=800A,VGE=15V, TJ=125°C. | | 3.80 | | |
VGE(de) | Drempelspanning gate-emitter | IC= 160 mA,VCE=VGE, TJ=25°C. | 5.5 | | 7.5 | V |
ICES | Uitschakeling collector Huidig | VCE=VCES,VGE=0 V, TJ=25°C. | | | 12.0 | MA |
IGES | Lekstroom gate-emitter | VGE=VGES,VCE=0V, TJ=25°C. | | | 500 | Na |
Cies | Ingangscapaciteit | VCE=25 V,f=1 MHz, VGE=0 V. | | 125 | | NF |
Cres | Omgekeerde overdracht Capaciteit | | 1.48 | | NF |
VGG | Poortkosten | VCE=1800 V, VGE=- 15…+15V | | 8.07 | | ΜC |
td (aan) | Vertragingstijd inschakelen | VCC= 1800 V, IC=800 A, RG=2,2 OHM, VGE=±15V, TJ=25 °C. | | 525 | | ns |
tr | Stijgtijd | | 190 | | ns |
td (uit) | Uitschakelvertraging | | 1050 | | ns |
tf | Herfsttijd | | 340 | | ns |
EON | Inschakelen inschakelen Verlies | | 1000 | | MJ |
Eoff | Uitschakelen Verlies | | 880 | | MJ |
td (aan) | Vertragingstijd inschakelen | VCC=1800 V, IC=800 A, RG=1,2 OHM, VGE=±15V, TJ= 125 °C. | | 530 | | ns |
tr | Stijgtijd | | 200 | | ns |
td (uit) | Uitschakelvertraging | | 1200 | | ns |
tf | Herfsttijd | | 460 | | ns |
EON | Inschakelen inschakelen Verlies | | 1380 | | MJ |
Eoff | Uitschakelen Verlies | | 1250 | | MJ |
ISC | SC-gegevens | TP≤10 μs,VGE=15 V, TJ=125°C,VCC=2500 V, VCEM≤3300 V. | | 3300 | | A |
Diodekarakteristieken TC=25oC tenzij anders vermeld Symbool | Parameter | Testomstandigheden | Min. | Normaal | Max. | Eenheid |
VF | Diode vooruit Spanning | ALS=800A,VGE=0V,TJ=25°C. | | 2.30 | 2.60 | V |
ALS=800A,VGE=0V,TJ= 125°C. | | 2.35 | | |
Vraag | Herstelde lading | VR= 1800 V,IF=800 A, -di/dt=4200A/μs,VGE=- 15V, TJ=25°C. | | 710 | | ΜC |
IRM | Piek achteruit Herstelstroom | | 500 | | A |
EREC | Omgekeerde terugwinningsenergie | | 620 | | MJ |
Vraag | Herstelde lading | VR= 1800 V,IF=800 A, -di/dt=4200A/μs, VGE= -15V, TJ= 125°C. | | 950 | | ΜC |
IRM | Piek achteruit Herstelstroom | | 925 | | A |
EREC | Omgekeerde terugwinningsenergie | | 1180 | | MJ |
Module karakteristieken TC=25oC tenzij anders aangegeven Symbool | Parameter | Min. | Normaal | Max. | Eenheid |
LCE | Verstrooide inductie | | 20 | | NH |
RCC'+EE' | Weerstand van de modulekabel, van klem naar chip | | 0.18 | | Memo |
RθJC | Aansluiting op behuizing (volgens IGBT) Aansluiting op behuizing (per diode) | | | 13.0 25.0 | K/kW |
RθCS | Case-to-Sink (per IGBT) Case-to-Sink (per diode) | | 12.2 23.4 | | K/kW |
RθCS | Case-to-Sink | | 8.0 | | K/kW |
M | Aansluitkoppel, schroef M4 Aansluitkoppel , schroef M8 Aanhaalmoment, schroef M6 | 1.8 8.0 4.25 | | 2.1 10 5.75 | N.m |
G | Gewicht van module | | 1050 | | g |
Adres:
Building 3, Yiyun Land Centre, No. 26 Guilan North Rd, Nanhai District, Foshan City, Guangzhou, Guangdong, China
Soort bedrijf:
Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf, Ander
Zakelijk Bereik:
Elektrotechniek & Elektronica's
Certificering Van Managementsysteem:
ISO 9001, ISO 14001
Bedrijfsintroductie:
PlutoSemi Co. Ltd, een wereldwijde leverancier van halfgeleidermaterialen en IC′s, gevestigd in Guangzhou, streeft ernaar klanten oplossingen voor halfgeleidermaterialen, diensten voor mondiale halfgeleiderbedrijven en onderzoeksinstellingen te bieden.
Als geïntegreerd halfgeleider bedrijf werken we samen met veel mondiale fabrieken om breed gedekte en uitstekende producten te garanderen.
We zijn snel en concurrerend.
We bieden voornamelijk FZ-siliciumwafers en ingots, CZ-siliciumwafers en -ingots, EPI-wafers, SOI-wafers, PVD-doelmaterialen, monokristalgermanium-wafers, saffierwafer, siliciumcarbide wafer, gallium arsenide, indium fosfide, gallium nitride en andere halfgeleidermaterialen.
Onze ervaren medewerkers zijn bereid om u te antwoorden met tijdige en betrouwbare diensten, aarzel niet om contact met ons op te nemen.
Geloofwaardigheid is de hoeksteen! Kwaliteit van leven! Innovatie is de drijvende kracht!