shape: | hqfp64 |
---|---|
Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fig.: | oneindig |
d/c: | 22+ |
Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties
BSC070N10NS3G: N-kanaal 100 V 57A (TC) 200W (TC) via gat NAAR-220AB
MFR. Onderdeelnr.: BSC070N10NS3G
MFR.: INFINEON
Specificatieblad: (E-mail of chat ons voor PDF-bestand)
ROHS-status:
Kwaliteit: 100% origineel
Garantie: ÉÉN JAAR
Productstatus
|
Actief
|
|
FET-type
|
N-kanaal
|
|
Technologie
|
MOSFET (metaaloxide)
|
|
Drain naar bronspanning (Vdss)
|
100 V.
|
|
Stroom - continu aftappen (ID) bij 25 °C.
|
90 A (TC)
|
|
Rijspanning (Max RDS aan, Min RDS aan)
|
6 V, 10 V.
|
|
RDS aan (max.) bij ID, VGS
|
7 mOhm bij 50 A, 10 V.
|
|
VGS(Th) (max.) @ ID
|
3,5 V bij 75µA
|
|
Laaddruk aanspuitopening (QG) (max.) bij VGS
|
55 NC bij 10 V.
|
|
VGS (max.)
|
±20 V.
|
|
Ingangscapaciteit (CISS) (max.) bij VdS
|
4000 PF bij 50 V.
|
|
FET-functie
|
-
|
|
Vermogensdissipatie (max.)
|
114 W (TC)
|
|
Bedrijfstemperatuur
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Type montage
|
Opbouwmontage
|
|
Apparaatpakket leverancier
|
PG-TDSON-8-1
|
|
Pakket/doos
|
8-PowerTDFN
|
|
Basisproduct nummer
|
BSC070
|
Geavanceerde HEXFET® Power MOSFET's van International Rectifier maken gebruik van geavanceerde verwerkingstechnieken om een extreem lage on-resistentie per siliciumgebied te bereiken. Dit voordeel, gecombineerd met de snelle schakelsnelheid en het robuuste ontwerp van apparaten waar HEXFET MOSFET's bekend om staan, biedt de ontwerper een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen. Het TO-220-pakket heeft universeel de voorkeur voor alle commercieel-industriële toepassingen met een stroomdissipatie van ongeveer 50 watt. De lage thermische weerstand en de lage pakketkosten van de TO-220 dragen bij aan de brede acceptatie ervan in de hele industrie.
Opmerking: