100A 1200V Halve Brug IGBT Module

• Maatwerk: Beschikbaar
• Applicatie: lassen, ups, driedelige omvormer
• Batchnummer: 2023
• Model NR.: DGA100H120M2T
• Productietechnologie: ontwerp van sleuven- en veldstoptechnologie
• Materiaal: Samengestelde halfgeleider
• Model: dga100h100m2t
• Pakket: 34 mm
• Type: N-Type Halfgeleider
• spanning: 1200V
• huidig: 100A
• merk: wxdh
• Transportpakket: doos
• Handelsmerk: wxdh
• Oorsprong: Wuxi, China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: 500000000 stuks/jaar

Beschrijving

 
1 Beschrijving
Deze geïsoleerde Bipolaire transistor van de poort gebruikte geavanceerde geul en
Fieldstop technologie ontwerp, voorzag in uitstekende VCEsat en switching
snelheid, lage aanspuitopening. Die overeenkomt met de RoHS-standaard.

Functies

FS Trench-technologie, positieve temperatuur
coëfficiënt

Lage saturatiespanning: VCE(Sat), typ = 1,9 V.
@ IC = 100A en TJ = 25°C.

Extreem verbeterde lawine-mogelijkheden

Toepassingen

Lassen

UPS

Drievoudige inverter

AC naar DC-omvormers

Versterker van AC- en DC-servoaandrijving

 

Type	VCE	IC	VCEsat,TJ=25 ºC	Tjop	Pakket
DGA100H120M2T	1200 V.	100 A (TJ=100 ºC)	1,9 V (normaal)	175 ºC	34 MM

Elektrische karakteristieken
5.1absolute maximumwaarden (IGBT) (TC=25 ºC, tenzij anders aangegeven)

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Spanning tussen collector en emitter			VCE	1200		V
Poort-naar-emitter-spanning			VGE	±30		V
DC-collectorstroom			IC  TJ = 25 ºC	200		A
			TJ=100 ºC	100		A
Pulsed collector stroom #1			ICM	800		A

 

5.2 absolute maximumwaarden (diode) (TC=25 ºC, tenzij anders aangegeven)

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Piekspanning bij repetitieve spanning bij achteruitrijden			VRRM	1200		V
DC-blokkeerspanning			VR	1200		V
Gemiddelde gelijkgerichte stroom vooruit			ALS (AV)	100		A
Repetitieve piekstroom			IFRM	200		A
Niet-repetitieve piekstroom (enkel) /tp=1,0 ms			IFSM	600		A

5.53IGBT-module

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Temperatuurbereik van de verbinding			Tjmax	-45-175		C
Temperatuur van de verbinding tijdens bedrijf			Tjop	-45-150		C
Opslagtemperatuur			Tstg	-45-150		C
Isolatiespanning RMS,f=50 Hz,t=1 min.			VISO	4000		A

5.4Thermisch karakteristieken (IGBT-module)

PARAMETER						SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Thermische weerstand verbinding met behuizing						IGBT -RthJC	0.28		C/W
						Diode RthJC	0.40		C/W