100 V 50 A N-Mosfet Dsb190n10L3

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Materiaal: silicium
• Type: N-type Semiconductor
• Verpakking: to-251
• Toepassing: schakelende voedingen
• Model: dsb190n10l3
• Model NR.: DSB190N10L3
• Batch Number: 2023
• Merk: wxdh
• spanning: 100 v.
• huidig: 50 a.
• Transportpakket: Reel
• Handelsmerk: WXDH
• Oorsprong: Wuxi, China
• Gs-Code: 8541100000
• Productiecapaciteit: 500000000 Pieces/Year

Beschrijving

 8A 650V SIC SCHOTTKYBARRIERDIODE
1 Beschrijving
De SIC Series-productfamilie biedt geavanceerde prestaties. Het is ontworpen voor hoog
frequentietoepassingen waarbij hoge efficiëntie en hoge betrouwbaarheid vereist zijn.

 

Functies

Lage weerstand

Lage capaciteit voor achteruitrijden

100% lawine-energietest met één puls

100% ΔVDS test CISS@

PB-vrije plating / halogeenvrij / voldoet aan RoHS

Toepassingen

Motorregeling en aandrijving

Opladen/ontladen van het accumanagementsysteem

Synchrone gelijkrichter voor SMPS

 &verpakkingsinformatie markeren

Onderdeelnr	Pakket	Markering	Buis/haspel	Aantal(st.)
DSD190N10L3	TO-252	DSD190N10L3	Haspel	2500 per doos
DSB190N10L3	TO-251	DSB190N10L3	Buis	3000 per doos

 

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE	EENHEID
Spanning van de drain-bron			VDS	100	V
Spanning van gate-bron			VGS	±20	V
Continue afvoerstroom		TC = 25 °C.	ID	50	A
		TC = 100 °C.		35	A
Gepulseerde afvoerstroom (TC = 25 °C, tp begrensd door Tjmax)			ID-puls	200	A
Lawineenergie, enkele puls (L=0,5mH, RG=25)			EAS	90	MJ
Vermogensdissipatie (TC = 25 °C)			Ptot	68	W
Temperatuur van de verbinding en opslag			TJ , T stg	-55-175	C