40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d

Productdetails
Maatwerk: Beschikbaar
Applicatie: lassen, ups
Batchnummer: 2023
Nog steeds aan het beslissen? Vraag om monsters van $ !
Proefexemplaar
Verzend & Beleid
Transportkosten: Neem contact op met de leverancier over de vrachtkosten en de geschatte levertijd.
betaalmethoden:
visa mastercard discover JCB diners club american express T/T
PIX SPEI OXXO PSE OZOW PayPal
  Ondersteuningsbetalingen in USD
Veilige betalingen: Elke betaling die u op Made-in-China.com doet, wordt beschermd door het platform.
Restitutiebeleid: Vraag een restitutie aan als uw bestelling niet wordt verzonden, kwijt is of met productproblemen wordt geleverd.
Fabrikant/fabriek & Handelsbedrijf

360° Virtuele Rondleiding

Secured Trading Service
Diamant Lid Sinds 2021

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Gecontroleerde Leverancier Gecontroleerde Leverancier

Gecontroleerd door een onafhankelijk extern inspectiebureau

Jaar van Oprichting
2004-12-07
Aantal Werknemers
234
  • 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d
  • 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d
  • 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d
  • 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d
  • 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d
  • 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d
Vind vergelijkbare producten

Basis Informatie

Model NR.
G40N120D
Productietechnologie
Discreet apparaat
Materiaal
silicium
Model
g40n120d
Pakket
to-247
Type
N-Type Halfgeleider
spanning
1200V
huidig
40A
merk
wxdh
Transportpakket
buis
Handelsmerk
wxdh
Oorsprong
Wuxi, China
Gs-Code
8541290000
Productiecapaciteit
500000000 stuks/jaar

Beschrijving

40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40n120d40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40n120d40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40n120d40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40n120d
PARAMETER SYMBOOL CLASSIFICATIE EENHEID
 
Spanning collector-emitter VCES 1200 V
Spanning van poort-emitter VGES ±30 V
Collectorstroom IC(TJ=25 ºC) 80 A
Collectorstroom   (TJ=100 ºC) 40 A
Gepulseerde collectorstroom ICM 160 A
Diode continue stroom vooruit ALS  @TJ = 100 °C. 40 A
Pulsstroom diode
IFM
160 A
Totale dissipatie TC = 25 ºC
Ptot
388 W
TC = 100 ºC
Ptot
155 W
Temperatuur van de verbinding TJ -45-175 C
Opslagtemperatuur Tstg -45-175 C
 
Functies
Lage VCEsat
Lage aanspuitopening
Uitstekende schakelsnelheid
Eenvoudige parallelschakeling dankzij positieve eigenschappen
Temperatuurcoëfficiënt in VCEsat
TSC≥10µs
Snelle herstel van de volledige stroom antiparallelle diode
Toepassingen
Lassen
Drievoudige omvormer
UPS
 
Productspecificaties en verpakkingsmodellen
Productmodel Pakkettype Naam markeren RoHS Pakket Hoeveelheid
G40N120D
TO-247
G40N120D
PB-vrij Buis 1000 per doos
 40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G40n120d

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing
Contacteer leverancier

Zoek vergelijkbare producten op categorie

Startpagina leverancier Producten IGBT 40A 1200V Trenchstop Geïsoleerde Gate Bipolaire Transistor G40n120d