50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Materiaal: Silicon
• Type: N-type Semiconductor
• Verpakking: to-264
• Toepassing: Welding Machine, UPS
• Model: G50n120d
• Model NR.: G50N120D
• Batch Number: 2022
• Merk: Wxdh
• spanning: 1200 v.
• huidig: 50 a.
• Transportpakket: Tube
• Handelsmerk: WXDH
• Oorsprong: Wuxi, China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: 500000000 Pieces/Year

Beschrijving

PARAMETER		SYMBOOL	CLASSIFICATIE		EENHEID
Spanning collector-emitter		VCES	1200		V
Spanning van poort-emitter		VGES	±20		V
Collectorstroom		IC(T=25 ºC)	100		A
Collectorstroom		(TC = 100 ºC)	50		A
Gepulseerde collectorstroom		ICM	200		A
Diode continue stroom vooruit		ALS  @TC = 100 °C.	25		A
Maximale stroom vooruit diode		IFM	100		A
Totale dissipatie	TC = 25 ºC	Ptot	460		W
	TC = 100 ºC	Ptot	230		W
Temperatuur van de verbinding		TJ	-55~150		C
Opslagtemperatuur		Tstg	-55~150		C

 

Functies

Lage Vcesat

Lage aanspuitopening

Uitstekende schakelsnelheid

Eenvoudige parallelschakeling dankzij positieve eigenschappen
Temperatuurcoëfficiënt in Vcesat

TSC≥10 μs

Snelle herstel van de volledige stroom antiparallelle diode

Toepassingen

Lassen

UPS

 

Productspecificaties en verpakkingsmodellen
Productmodel	Pakkettype	Naam markeren	RoHS	Pakket	Hoeveelheid
G50N120D	TO-264	G50N120D	PB-vrij	Buis	300 per doos