600A 1200V half Bridge module IGBT module Dgd600h120L2t Econodual3 pakket

• Applicatie: lassen, ups, driedelige omvormer
• Batchnummer: 2024
• Productietechnologie: Los apparaat
• Materiaal: halfgeleider met metaaloxide
• Model: dgd600h120l2t
• Pakket: econodual3
• Model NR.: DGD600H120L2T
• Type: N-Type Halfgeleider
• merk: wxdh
• Transportpakket: Doos
• Handelsmerk: WXDH
• Oorsprong: Wuxi, China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: 500000000 Pieces/Year

Beschrijving

 
1 Beschrijving

Deze geïsoleerde Bipolaire transistor van de poort gebruikte geavanceerde geul en

Fieldstop technologie ontwerp, voorzag in uitstekende VCEsat en switching

snelheid, lage aanspuitopening. Die overeenkomt met de RoHS-standaard

Functies

FS Trench-technologie, positieve temperatuur
coëfficiënt

Lage saturatiespanning: VCE(Sat), typ = 2,25 V.
@ IC = 75A en TJ = 25°C.

Extreem verbeterde lawine-mogelijkheden

Toepassingen

Lassen

UPS

Drievoudige inverter

Versterker van AC- en DC-servoaandrijving

 

Type	VCE	IC	VCEsat,TJ=25 ºC	Tjop	Pakket
DGD600H120L2T	1200 V.	600 A (TJ=100 ºC)	1,79 V (normaal)	150 ºC	EconoDUAL3

Elektrische karakteristieken
5.1absolute maximumwaarden (IGBT) (TC=25 ºC, tenzij anders aangegeven)

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Spanning tussen collector en emitter			VCE	1200		V
Poort-naar-emitter-spanning			VGE	±25		V
DC-collectorstroom			IC  TJ=100 ºC	600		A
Pulsed collector stroom #1			ICM	1200		A

 

5.2 absolute maximumwaarden (diode) (TC=25 ºC, tenzij anders aangegeven)

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Piekspanning bij repetitieve spanning bij achteruitrijden			VRRM	1200		V
DC-blokkeerspanning			VR	1200		V
Gemiddelde gelijkgerichte stroom vooruit			ALS (AV)	600		A
Repetitieve piekstroom			IFRM	1200		A

5.53IGBT-module

PARAMETER			SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Temperatuurbereik van de verbinding			Tjmax	-40 tot 175		C
Temperatuur van de verbinding tijdens bedrijf			Tjop	-40 tot 175		C
Opslagtemperatuur			Tstg	-40 tot 175		C
Isolatiespanning RMS,f=50 Hz,t=1 min.			VISO	3500		A

5.4Thermisch karakteristieken (IGBT-module)

PARAMETER						SYMBOOL	WAARDE		EENHEID
Thermische weerstand verbinding met behuizing						IGBT -RthJC	0.033		C/W
						Diode RthJC	0.065		C/W