• 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f
  • 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f
  • 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f
  • 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f
  • 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f
  • 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

spanning: 600 v.
valuta: 7,5a
productietechnologie: afzonderlijk apparaat
type: halfgeleider van het n-type
materiaal: halfgeleider met metaaloxide
pakket: tot-220f

Contacteer leverancier

360° Virtuele Rondleiding

Diamant Lid Sinds 2021

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Fabrikant/fabriek & Handelsbedrijf

Basis Informatie.

Model NR.
f8n60
toepassing
schakelcircuit
model
f8n60
batchnummer
2021
merk
wxdh
Transportpakket
Tube
Handelsmerk
WXDH
Oorsprong
Wuxi, China
Gs-Code
8541290000
Productiecapaciteit
500000000 Pieces/Year

Beschrijving

600V 7.5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f600V 7.5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f600V 7.5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f600V 7.5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f
Beschrijving
Deze N-channel Enhanced VDMOSFET's worden verkregen door de zelfafgestemde planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawineenergie verbetert. Die overeenkomt met de RoHS-standaard.
 
PARAMETER SYMBOOL WAARDE EENHEID
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60 F8N60  
Maximale DC-spanning driaanbron VDS 600 V
Maximale spanning afvoer poort VGS ±30 V
Aftapstroom (continu) ID(T=25 ºC) 7.5 A
(T=100 ºC) 4.8 A
Afvoerstroom (gepulseerd) IDM 30 A
Single Pulse Avalanche energie EAS 400 MJ
Peak Diode Recovery dv/dt dv/dt 5 V/ns
Totale dissipatie TA = 25 ºC Ptot 2 2 W
TC = 25 ºC Ptot 100 35 W
Temperatuur van de verbinding TJ 150 C
Opslagtemperatuur Tstg -55~150 C
 
Functies
Snel schakelen
Verbeterde ESD-capaciteit
Weerstand laag BIJ (Rdson≤1,3 ohm)
Lage aanloopdruk (normaal 24 nC)
Lage capaciteit voor omgekeerde overdracht (type: 5,5pF)
100% Single Pulse Lawine Energy Test
100% ΔVDS testen
 
Toepassingen
wordt gebruikt in verschillende schakelcircuits voor minimale systeemprestaties en een hogere efficiëntie.
Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
 
Productspecificaties en verpakkingsmodellen
Productmodel Pakkettype Naam markeren RoHS Pakket Hoeveelheid
8N60 TOT -220 °C. 8N60 PB-vrij Buis 1000 per doos
F8N60 TOT -220 °C. F8N60 PB-vrij Buis 1000 per doos
B8N60 TO-251 B8N60 PB-vrij Buis 3000 per doos
D8N60 TO-252 D8N60 PB-vrij Tape en reel 2500 per doos
I8N60 TO-262 I8N60 PB-vrij Buis 1000 per doos
E8N60 TO-263 E8N60 PB-vrij Tape en reel 800 per doos
600V 7.5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing

Zoek vergelijkbare producten op categorie

Startpagina leverancier Producten MOSFET HV MOSFET 600 V 7,5A N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

Misschien Vind Je Het Leuk

Contacteer leverancier

360° Virtuele Rondleiding

Diamant Lid Sinds 2021

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Fabrikant/fabriek & Handelsbedrijf
Aantal Werknemers
156
Jaar van Oprichting
2004-12-07