75A 650 V 34 mm half Bridge IGBT-module

• Manufacturing Technology: Trench and Fieldstop Technology Design
• Materiaal: Compound Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Verpakking: 34mm
• Toepassing: Welding, UPS
• Model: Dga75h65m2t
• Model NR.: DGA75H65M2T
• Batch Number: 2023
• Merk: Wxdh
• spanning: 650 v
• huidig: 75 a.
• Transportpakket: Box
• Handelsmerk: WXDH
• Oorsprong: Wuxi, China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: 500000000 Pieces/Year

Beschrijving

1 Beschrijving
Deze geïsoleerde Bipolaire transistor met poort maakte gebruik van een geavanceerd ontwerp met trench- en Fieldstop-technologie, dat uitstekende VCEsat- en switchingmogelijkheden bood
snelheid, lage aanspuitopening. Die overeenkomt met de RoHS-standaard.

 

PARAMETER		SYMBOOL	CLASSIFICATIE		EENHEID
Spanning collector-emitter		VCES	650		V
Spanning van poort-emitter		VGES	±30		V
DC-collectorstroom		IC(T=25 ºC)	150		A
DC-collectorstroom		(TC = 100 ºC)	75		A
Gepulseerde collectorstroom		ICM	300		A
Max. Vermogensdissipatie	TC = 25 ºC	PD	500		W
Thermische weerstand verbinding met behuizing Opslagtemperatuur		TJ	150		C
		Tstg	-55~150		C

 

Functies

FS Trench-technologie, positieve temperatuurcoëfficiënt

Lage saturatiespanning: VCE_(Sat), typ = 1,9 V.
@ IC =40A EN VGE=15V

Extreem verbeterde lawine-mogelijkheden

Toepassingen

Lassen

Drievoudige inverter

UPS

Versterker van AC- en DC-servoaandrijving