NPN epitaxiaal siliciumtransistor Bu406 tot-220c

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Materiaal: Silicon
• Type: N-type Semiconductor
• Verpakking: to-220c
• Toepassing: Power Charger
• Model: Bu406
• Model NR.: BU406
• Batch Number: 2022
• Merk: Wxdh
• Transportpakket: Tube
• Handelsmerk: WXDH
• Oorsprong: Wuxi, China
• Gs-Code: 8541290000
• Productiecapaciteit: 500000000 Pieces/Year

Beschrijving

 
 

Beschrijving

De BT151-serie van door silicium bestuurde gelijkrichters, met een hoge capaciteit om de schokbelasting van grote stroom te weerstaan, bieden een hoge dv/dt-snelheid met een sterke weerstand tegen elektromagnetische interferentie.

 

PARAMETER		SYMBOOL	WAARDE	EENHEID
Collector-basisspanning		VCBO	400	V
Spanning collector-emitter		VCEO	200	V
Emitter-Base-spanning		VEBO	6	V
Collectorstroom (DC)		IC	7	A
*Collector-stroom (puls)		ICP	10	A
Basisstroom (DC)		IB	4	A
Dissipatie van de collector (TC = 25 ºC)		PC	60	W
Dissipatie van de collector (Ta=25 ºC)		PC	2	W
Temperatuur van de verbinding		TJ	150	C
Opslagtemperatuur		TSTG	- 55 ~ 150	C

 

Functies

Hoge stroomuitgang tot 7 A.

Lage saturatiespanning

 

Toepassingen

spanningsregelaar

gemiddeld lineair vermogen

schakelen

 

Productspecificaties en verpakkingsmodellen
Productmodel	Pakkettype	Naam markeren	RoHS	Pakket	Hoeveelheid
BU406	TOT -220 °C.	BU406	PB-vrij	Buis	1000 per doos